据日本媒体报道，Novel Crystal Technology计划投资约为20亿日元，向其公司工厂添加设备，到 2025 年，建成年产 20,000 片 100mm（4 英寸）氧化镓 (Ga2O3) 晶圆生产线。
除了制造和加工氧化镓单晶基板的设备和检查设备外，Novel Crystal Technology还将引进用于在晶圆上外延生长氧化镓的成膜设备，并计划开发一种可以同时沉积多个晶圆的新设备。
与由硅制成的传统半导体相比，氧化镓半导体可以实现器件的功耗降低和高耐压。其特点是能够通过熔融法生长块状单晶并有效地制造晶体基板。与正在投入实际应用的碳化硅（SiC）等下一代材料相比，晶体生长速度快了约100倍，基板更容易制造，从而显着降低了成本。
Novel Crystal Technology 是 Tamura Corporation 的子公司，世界首例成功量产4英寸氧化镓晶圆。Novel Crystal Technology还将继续进行技术开发，着眼于6英寸氧化镓晶圆的量产。
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