重庆万国自研IGBT预计年内实现量产

据重庆日报消息，8月11日，位于两江新区水土新城的重庆万国半导体科技有限公司已成功造出西南地区首颗独立开发、设计并自行完成晶圆制造与封装测试的IGBT元件，目前该IGBT元件通过了用户试用，并获得了良好评价，预计在今年年内就可实现量产。

IGBT元件是绝缘栅双极型晶体管的英文名缩写，是由双极型三极管和绝缘栅型场效应管，组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，作用是调节电路中的电压、电流、频率、相位等，以实现精准调控，广泛应用于新能源车、光伏、家电、工业、轨交、智能电网等领域。

由于IGBT元件是能源变换与传输的核心器件，因此又俗称电力电子装置的"CPU"。目前，全球IGBT市场格局主要由英飞凌、安森美、意法半导体、富士电机、三菱电机等海外厂商主导。

不过，自新冠肺炎疫情以来，海外IGBT大厂供应的持续紧张，国内部分企业开始扩大寻求本土供应商供货。

今年年初，重庆万国正式启动了IGBT元件项目研发，经过数月时间研发，成功造出西南地区首颗自研自产IGBT元件。据介绍，该元件具有饱和压降低，开关损耗小，电流短路能力强等特点，可用于消费电器与工业电器的动能转换，经客户使用反馈，其品质与国际上IGBT大厂产品相当。

IGBT元件的制造还难在工艺，这也是为什么许多半导体工厂没生产IGBT元件的原因。重庆万国在芯片生产和封装测试的每个环节上，都有业内资深的专家坐镇，确保质量的稳定，在过去十二个月的出货量中，重庆万国做到了每10亿颗芯片中，不良率只有3颗，这样的质量在全球业界名列前茅。因此，重庆万国在IGBT元件的制造环节也格外顺畅，并获得了用户的良好评价。