MOSFET与IGBT之间有何区别？

晶体管主要分为三类：双极晶体管、MOSFET和IGBT。下表比较了这些晶体管的性能和特性。由于需要驱动电路和保护电路以及缓慢的开关速度，双极晶体管现在几乎从未用于电力电子和开关应用。取而代之的是，根据所需特性有选择地使用MOSFET和IGBT。

在低电流区域中，MOSFET的导通电压低于IGBT。但在高电流区域中，IGBT的导通电压则低于MOSFET，特别是在高温条件下。IGBT通常以低于20kHz的开关频率使用，因为其开关损耗大于单极MOSFET。

不同类型晶体管的性能比较

^(*1)内置电压是器件固有的阈值电压。这里的内置电压是指正向阈值电压。

由于IGBT是采用电导率调制的双极开关器件，因此与单极MOSFET相比，其开关速度更低，尤其是其在高温下的关断时间更长。因此，IGBT导致了更高的开关损耗。

但另一方面，IGBT的优点是，即使在大电流和高温下，其也能轻松地实现高耐压，并具有相对较低的导通电压。

因此，使用硅材料制造的IGBT和MOSFET分别适合以下应用领域：

MOSFET：低压应用（200V至300V）
IGBT：高压应用（1200V以上）
IGBT和MOSFET用于400V至1200V应用范围内的不同用途：
（1）IGBT用于开关频率小于20kHz，需具备高过载耐受能力的逆变器应用。
（2）MOSFET用于开关频率超过20kHz的逆变器应用。
（3）MOSFET用于某些低容量逆变器应用，而IGBT用于软开关和大电流密度应用。应根据其特性正确使用IGBT和MOSFET。

来源：东芝电子元件

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