IGBT是 "Insulated Gate Bipolar Transistor"的首字母缩写，也被称作绝缘栅双极晶体管。IGBT被归类为功率半导体元器件晶体管领域。
除了IGBT外，功率半导体元器件（晶体管领域）的代表产品还有MOSFET、BIPOLAR等，它们主要被用作半导体开关。
MOSFET
是指半导体元件的结构为Metal（金属）- Oxide（半导体氧化物）- Semiconductor（半导体）的三层结构的Field-Effect Transistor（场效应晶体管）。
BIPOLAR
是指使用了双极性元件，将称为p型和n型的两种半导体构成n-p-n及p-n-p结构的电流工作型晶体管。
【功率元器件的基本结构与特点】
| MOSFET | BIPOLAR | IGBT | |
| 基本结构 |  |
 |
 |
| 控制 | 栅极电压 | 基极电流 | 栅极电压 |
| 容许电流 | ✕ | △ | ○ |
| 开关 | ○ | ✕ | △ |
| 导通电阻 | ✕ | △ | ○ |
根据其分别可支持的开关速度，BIPOLAR适用于中速开关，MOSFET则适用于高频领域。
IGBT是输入部为MOSFET结构、输出部为BIPOLAR结构的元器件，通过这两者的复合化，既是使用电子与空穴两种载体的双极元件，同时也是兼顾低饱和电压（与功率MOSFET的低导通电阻相当）和较快的开关特性的晶体管。
功率半导体的应用范围
尽管其具有较快的开关特性，但仍比不上功率MOSFET，这是IGBT的弱点。
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