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氮化镓功率芯片行业领导者纳微半导体宣布收购碳化硅行业先驱GeneSiC,成为唯一专注下一代功率半导体公司
加利福尼亚州埃尔塞贡多,2022 年 8 月 15日讯 — 氮化镓 (GaN) 功率芯片行业领导者纳微半导体(纳斯达克股票代码:NVTS)今天正式宣布收购 GeneSiC Semiconductor,后者拥有深厚的碳化硅(SiC)功率器件设计和工艺方面的专业知识。 由于 GeneSiC 利润丰厚,EBITDA 利润率超过 25%,因此该交易立即对纳微半导体产生增值。2022 年的GeneSiC收入预计约为 2500 万美元,年增长率超过 60%。合并后的公司在下一代功率半导体(氮化镓GaN 和碳化硅 SiC)领域创建了一个全面的、行业领先的技术组合。到 2026 年,预计每年的总市场机会将超过 200 亿美元。
纳微半导体首席执行官兼联合创始人 Gene Sheridan 表示:“GeneSiC 是纳微半导体的理想合作伙伴,他们专注于开发行业领先的 SiC 技术并取得成功。纳微半导体对全球销售、运营和技术支持团队以及电动汽车和数据中心的系统设计中心进行了大量投资,这些功能是对 GeneSiC 的完美补充,将进一步加速其在协同和新客户和市场中的增长。今天,我们在实现‘Electrify Our World™’的使命中迈出了重要一步,将不断推动我们的地球从依赖化石燃料向清洁、高效的电能过渡。”
GeneSiC 总裁 Ranbir Singh 博士表示:“GeneSiC 受专利保护的先进技术和创新、经验丰富的团队是我们公司发展的关键因素。我们的 SiC MOSFET 提供业界最高的性能、可靠性和耐用性——这些参数对于在电动汽车和相关基础设施的广泛采用至关重要,凭借近 20 年的领先研发、成熟的平台、500 多个不同的客户以及不断增长的收入和盈利能力,我们可以利用纳微半导体在大规模生产方面的专业知识和进入市场的战略来加速 SiC 收入,我们对这种新的合作伙伴关系感到非常振奋。”
Singh 博士加入纳微半导体后将担任 GeneSiC 业务执行副总裁,纳微将保留 GeneSiC 团队的所有成员。
在功率半导体中,GaN 和 SiC 都是优于传统硅的材料,可实现更高的速度、更显著的节能、更快的充电,并显著降低尺寸、重量和成本。这些互补的下一代材料共同解决了从 20W 智能手机充电器到 20kW 电动汽车充电器,再到 20MW 电网基础设施系统以及介于两者之间的各种广泛应用,GeneSiC 拥有超过 500 家客户,这场收购将为纳微半导体的市场和客户带来多元化和协同效应,并加快纳微在战略性的、更高功率应用领域的收入:
01
电动汽车
纳微半导体的氮化镓功率芯片针对 400V EV 系统进行了优化,GeneSiC 技术是 800V EV 系统的理想选择,其现有收入和开发客户包括全球第一大电动汽车供应商比亚迪、路虎、梅赛德斯 AMG、吉利、Shinry 、LG Magna、Saab 和 Inovance 以及其他数十家公司。
02
太阳能和储能
纳微的氮化镓功率芯片服务于住宅太阳能,而 GeneSiC 在更高功率、商业太阳能和储能客户中获得直接收入,包括 APS、Advanced Energy、Chint、Sungrow、Growatt、CATL、Exide 等。
03
更广泛的工业市场
GeneSiC 高压产品在铁路、UPS、风能、电网、工业电机和医学成像等广泛的其他工业市场带来直接收入。
交易明细
收购 GeneSiC 预计将立即增加纳微半导体的每股收益。收购总价包括约 1 亿美元现金、2490 万股纳微半导体股票以及根据销售达标情况而定的最高2500万美元的额外对价,该额外对价是基于GeneSiC 业务在截至 2023 年 9 月 30 日前的四个财务季度实现的可观收入目标而定。有关 GeneSiC 的更多信息,请访问 ir.navitassemi.com。
关于纳微半导体
纳微半导体 (Nasdaq: NVTS) 是氮化镓 (GaN) 功率芯片行业领导者,成立于 2014 年。GaNFast™ 功率芯片将氮化镓功率器件与驱动、控制、传感和保护功能集成在一起,以实现更快的充电、更高的功率密度和更有效的节能,为移动、消费电子、数据中心、电动汽车和太阳能市场节省成本。纳微拥有超过 165 项已发布或正在申请中的专利和超过 5,000 万颗的发货量,终端市场故障率为零,纳微半导体推出了业界首个也是唯一的 20 年质保承诺,也是世界上第一家获得 CarbonNeutral® 认证的半导体公司。
关于GeneSiC Semiconductor, Inc.
GeneSiC Semiconductor 是碳化硅 (SiC) 技术的先驱和全球领导者,全球领先的制造商依靠 GeneSiC 的技术来提升其产品的性能和效率。GeneSiC 的电子元件运行温度更低、速度更快、更经济,并且在各种高功率系统中的节能方面发挥着关键作用。GeneSiC 拥有宽带隙功率器件技术方面的领先专利,预计到 2025 年,该市场将超过 50 亿美元。我们在设计、工艺和技术方面的核心优势为客户的最终产品增加了更多价值,其性能和成本指标为碳化硅行业设定了新标准。
Navitas Semiconductor、GaNFast、GaNSense 和 Navitas 徽标是纳微半导体的商标或注册商标。所有其他品牌、产品名称和标志是或可能是用于识别其各自所有者的产品或服务的商标或注册商标。
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