韩国 GaN 外延晶圆初创公司 IVWorks 于 1 月 24 日宣布收购了圣戈班（法国）的 GaN 晶圆业务。
GaN外延晶片是一种在晶片上包含多层堆叠的III-N化合物半导体薄膜的材料。它用于高速充电器、电动汽车 (EV) 电源转换和国防雷达。根据应用领域，碳化硅 (SiC) 或硅 (Si) 晶圆用于堆叠 III-N 薄膜，但在 EV 动力总成等高功率设备中需要 GaN 晶圆。
法国的圣戈班和一些日本材料公司，如住友和三菱，在GaN晶圆的生产技术上处于领先地位。通过从圣戈班收购 GaN 晶圆业务，IVWorks 获得了用于量产 4 英寸和 6 英寸 GaN 晶圆的最先进技术。
圣戈班是轻型与可持续建筑领域的全球领导者，为建筑和工业市场设计、制造和分销材料和服务。圣戈班开发了核心技术来制造最先进的 GaN 晶圆，专注于该领域的公司可以更好地利用这项技术。
IVWorks是韩国唯一一家成功量产4、6、8英寸GaN外延片的半导体材料专业企业，开发了世界上第一个与人工智能生产系统集成的外延晶圆生产技术。这家开创性的初创公司最近还在韩国首次安装了 12 英寸的生产设施。
IVWorks 首席执行官 Young-Kyun Noh 表示：“最近，由于 GaN 功率器件在能源效率方面的优势，在所有电子产品中的使用显着增加，并且在 EV 应用中对 GaN 的兴趣很高，这是一个新的市场领域。基于此次收购，我们将能够通过在大功率应用领域提供 GaN-on-GaN 外延晶片来扩展我们的产品组合，并在 EV 市场与 SiC 材料竞争。”
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