安泰科技—热沉材料

装在基板上的电子元件需要通过热沉的作用才能够得到有效散热从而稳定工作温度，钼铜、钨铜、CMC和CPC材料结合了钼、钨的低热膨胀率和铜的高热导率，可有效释放电子器件的热量，有助于冷却 IGBT 模块、RF功率放大器、LED 芯片等各种产品。

1 钨铜合金

钨铜合金是以钨元素为基、铜元素为副组成的一种两相结构伪合金，是金属中的复合材料。WCu电子封装片，既具有钨的低膨胀特性，又具有铜的高导热特性，尤为可贵的是，其热膨胀系数和导热导电性可以通过调整材料的成分而加以设计，因而给该材料的应用带来了极大的方便。我们采用高纯的优质原料，经压制成形、高温烧结及熔渗后，得到性能优良的WCu电子封装材料及热沉材料。适用于与大功率器件封装的材料，如基片、电极等；高性能的引线框架；热控装置的热控板和散热器等。

优点：具有与不同基体相匹配的热膨胀系数及高的热导率；优良的高温稳定性及均一性；优良的加工性能；

模压-浸渗法制备W-Cu复合材料金相

产品规格：钨铜裸片及表面镀镍、镀镍金。

2 钼铜合金

钼铜合金是由两种互不固溶的金属所组成的假合金，兼具钼和铜的特性，具有高热传导率、低热膨胀系数、无磁性、低气体含量、良好的真空性能、良好的机加工性及特殊的高温性能等特性。

轧制工艺制备Mo-Cu复合材料金相

产品规格：钼铜裸片及表面镀镍、镀镍金。

3 铜-钼铜-铜、铜-钼-铜

CPC（铜-钼铜-铜）和CMC（铜-钼-铜）是一种三层结构材料，以较低的热膨胀系数和远优于WCu和MoCu的热导率为高功率电子元器件提供更优替换方案。它们能够有效释放电子器件的热量，有助于冷却 IGBT 模块等各种产品。可用于热沉、引线框、多层印刷电路板(PCB)等的低膨胀层和导热通道。我们可以为客户提供各种厚度和不同层数结构的层片结构材料，以满足客户的各种使用要求。

4 硅铝合金

硅铝合金密度在2.3~2.7 g/cm3之间，热膨胀系数(CTE)在 4.1×10−6 ~23.6×10−6/K之间，提高硅含量可使合金材料的密度及热膨胀系数显著降低。同时，硅铝合金还具有热导性能好，比刚度较高，与金、银、铜、镍的镀覆性能好，与基材可焊等优越性能。其中Si-30Al的热膨胀系数为6.5×10−6/K，接近Si和GaAs，热导率达120W/m·K，密度为2.4g/cm3，比纯铝轻近15%，比刚度（53MPa·cm3/g）为Kovar合金（17MPa·cm3/g）的3倍，WCu25（15MPa·cm3/g）的3.5倍。高硅铝合金将成为满足电讯、航空航天、国防和其他相关电子元器件所需求的新型封装材料。

喷射沉积法制备的硅铝合金中铝的含量与热膨胀系数的关系

5 制作工艺
领先的工艺制作领先的产品。不同应用领域对材料的性能要求不同，安泰难熔采取不同的加工方式来满足性能的要求。

安泰科技股份有限公司难熔材料分公司前身是冶金部钢铁研究总院难熔合金研究室，自1958年至今，已是国内最早从事难熔金属材料研究的单位之一。我公司生产的钨铜、钼铜及硅铝等热沉材料具有国际先进水平，目前已成功进入高端功率半导体元器件行业。

原文始发于微信公众号（安泰难熔钨钼）：安泰科技—热沉材料