近日
由高新区企业至讯创新
完全自主研发的
国内首款
中小容量高可靠性
19nm 2D NAND闪存芯片研制成功
预计将于明年年初全面投放市场
这是国内存储行业的跨越式突破
技术水平已赶超国际一流


原文始发于微信公众号(无锡高新区在线):重大突破!国内首款完全自主研发的中小容量闪存芯片在高新区诞生!
一颗芯片的制造工艺非常复杂,需经过几千道工序,加工的每个阶段都面临难点。欢迎加入艾邦半导体产业微信群:
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