AMB(Active Metal Brazing,活性金属钎焊)工艺利用钎焊料中含有的少量活性元素(例如,钛Ti)与陶瓷反应生成能被液态钎焊料润湿的反应层,从而实现陶瓷与金属结合的一种方法。根据陶瓷材质的不同,目前成熟应用的AMB陶瓷基板可分为:氧化铝、氮化铝和氮化硅基板。
AMB氧化铝基板
基于氧化铝板材来源广泛、成本最低,是当前性价比最高的AMB陶瓷基板,其工艺也最为成熟。但由于氧化铝陶瓷的热导率低、散热能力有限,AMB氧化铝基板多用于功率密度不高且对可靠性没有严格要求的领域。
AMB氮化铝基板
AMB基板具有较高的散热能力,从而更适用于一些高功率、大电流的工作环境。但是由于机械强度相对较低,氮化铝AMB覆铜基板的高低温循环冲击寿命有限,从而限制了其应用范围。氮化铝AMB基板具有较高的散热能力,从而更适用于一些高功率、大电流的工作环境。但是由于机械强度相对较低,氮化铝AMB覆铜基板的高低温循环冲击寿命有限,从而限制了其应用范围。
AMB氮化硅基板
氮化硅陶瓷的热膨胀系数(2.4ppm/K)较小,与硅芯片(4ppm/K)接近;AMB氮化硅基板具有较高的热导率(>90W/mK)。AMB-Si3N4基板结合的机械性能具有优异的耐高温性能、散热特性和超高的功率密度。
对于对高可靠性、散热以及局部放电有要求的汽车、风力涡轮机、牵引系统和高压直流传动装置等来说,AMB氮化硅基板可谓其首选的基板材料。此外,载流能力较高,而且传热性也非常好。
来源:威斯派尔
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