经过多年积累，长电科技目前可为全球客户提供多样化的封装技术解决方案，包括Lead Frame打线封装、Laminate打线封装、fcBGA倒装封装、fcCSP倒装封装、SiP系统级封装、WLCSP/eWLB/ECP等扇入型/扇出型晶圆级封装、PoP堆叠封装、2.5D/3D芯片堆叠封装、以及XDFOI™ Chiplet系列晶圆级封装等技术。
在持续发力先进封装技术的同时，长电科技也不断推动传统封装技术的先进化，使其满足日益多元化的应用需求。
长电科技针对QFN后道可以采用冲压或封装成品切割方式。冲压分离是在封装流程的最后把塑封过的封装体通过冲压的方式从整条框架上分离出来，而以阵列式排布的封装体可以通过封装体切割的方式在最终的切割工序里把单颗的元器件分离出来。
QFNp是一种通过冲压方式分离的封装方式，具有薄、轻的外形和出色的散热性能。QFNp提供比传统引线框架封装更紧凑、性能更高且更具成本效益的解决方案，尤其适用于移动和手持应用。
QFNp-dr是一种冲压方式的双排封装，具有在更小的面积中可显著增加I/O引脚数量。提高QFNp-dr性能的关键是在其具有两排交错I/O的引线框架设计中带有裸露芯片焊盘的引脚用于芯片接地和改进的热性能。
封装切割方式的多排QFN（QFNs-mr）封装是通过切割形成的封装体并呈现出正方形或者长方形的LGA形式。通过使用切割制造工艺，在相同的封装尺寸中可以以多层形式为客户提供更多I/O数量。
技术亮点
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冲压或者成品切割方式
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产品封装尺寸从1.0×1.3mm到12×12mm
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引脚数量从4到156
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引脚间距：0.40、0.50、0.65和0.80mm
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提供引脚数量、引脚间距定制化
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产品封装厚度：0.45、0.55、0.75、0.85和0.90mm
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提供金线或铜线键合
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多晶片（die）封装
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提供JEDEC定义的多种厚度选择（V、W、U、X）
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产品重量减少33%（16L TSSOP vs. 16L QFN）
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产品尺寸占用电路板面积减少50%（16L TSSOP vs. 16L QFN）
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长电科技拥有持续优化的量产解决方案，依托全员参与，持续改善的方针，不断提升技术水平，从而提升客户产品开发速度，助力其市场开拓。
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长电科技是全球领先的集成电路制造和技术服务提供商，提供全方位的芯片成品制造一站式服务，包括集成电路的系统集成、设计仿真、技术开发、产品认证、晶圆中测、晶圆级中道封装测试、系统级封装测试、芯片成品测试并可向世界各地的半导体客户提供直运服务。
通过高集成度的晶圆级（WLP）、2.5D/3D、系统级（SiP）封装技术和高性能的倒装芯片和引线互联封装技术，长电科技的产品、服务和技术涵盖了主流集成电路系统应用，包括网络通讯、移动终端、高性能计算、车载电子、大数据存储、人工智能与物联网、工业智造等领域。长电科技在中国、韩国和新加坡设有六大生产基地和两大研发中心，在20多个国家和地区设有业务机构，可与全球客户进行紧密的技术合作并提供高效的产业链支持。
有关更多信息，请访问 www.jcetglobal.com。
原文始发于微信公众号（长电科技）：浅谈QFN成熟封装技术
