2023年3月1日，Resonac Corporation宣布开发出用于功率半导体的第三代高等级碳化硅（SiC）外延片（HGE-3G）并已开始量产。HGE-3G的质量优于目前已量产的第二代SiC外延片（HGE-2G）。
与传统的硅晶圆功率半导体相比，SiC 功率半导体减少了电能转换过程中产生的功率损耗，并减少了发热量，从而实现了节能。因此，对 SiC 功率半导体的需求正在迅速增加，特别是在工业应用领域，包括用于电动汽车 (EV) 和基于可再生能源的发电。SiC外延片是在单晶SiC衬底表面沉积生长外延SiC层而制成的，是SiC功率半导体的主要材料。Resonac 作为世界上最大的独立供应商，一直提供世界一流品质的 SiC 外延晶圆，并受到日本国内外许多设备制造商的好评。
用于高价 EV 和轨道车的高端型号功率半导体需要传导更高密度的电流，以同时实现高输出和节省空间。为了实现高密度电流的传导，SiC外延片制造商必须开发防止SiC衬底中存在的位错缺陷扩展到外延SiC层的技术。此次瑞硕研发出最新的SiC外延层生长技术，成功解决了上述问题，开始量产第三代高档SiC外延片。该HGE-3G在高电流密度下具有高可靠性，将为SiC基高端功率模块的普及做出贡献。
Resonac集团的目标是成为一家"共创化学公司"，为全球社会的可持续发展做出贡献。在这一愿景下，Resonac 将其业务定位为生产有助于有效利用能源的 SiC 外延片作为下一代业务，并将分配我们的大部分业务资源。2022 年 9 月，Resonac 开始出货使用内部制造的单晶 SiC 晶圆的 200mm SiC 外延晶圆样品。此外，Resonac 一直在推动"为下一代绿色功率半导体开发 SiC 晶圆技术的项目， 旨在进一步提高 SiC 外延片的质量。Resonac在埼玉县秩父市拥有外延片生产线（4英寸/6英寸等）。