2023年5月3日，3D NAND 闪存和 DRAM 存储器创新技术的领先开发商NEO Semiconductor宣布推出其突破性技术 3D X-DRAM™。此次开发是全球首款类3D NAND DRAM单元阵列，旨在解决DRAM的容量瓶颈，取代整个2D DRAM市场。相关专利申请于2023年4月6日与美国专利申请公布一起公布。
NEO Semiconductor 的创始人兼首席执行官 Andy Hsu，一位拥有 120 多项美国专利的成就卓著的技术发专家，他表示："3D X-DRAM™ 将成为半导体行业未来绝对的增长动力，今天我可以自信地说 Neo 正在成为 3D DRAM 市场的明显领导者。 与当今市场上的其他解决方案相比，我们的发明非常简单，制造和规模化成本更低。 通过我们的 3D X-DRAM™，业界有望每十年实现 8 倍的密度和容量提升。"
NEO Semiconductor 的 3D X-DRAM™ 是首创的基于无电容器浮体单元技术的类 3D NAND DRAM 单元阵列结构。它可以使用今天的 3D NAND 类工艺制造，只需要一个掩模来定义位线孔并在孔内形成单元结构。 这种电池结构简化了工艺步骤，提供了一种高速、高密度、低成本、高良率的解决方案。根据 Neo 的估计，3D X-DRAM™ 技术可以实现 230层128 Gb 密度，这是当今 DRAM 密度的 8 倍。
全行业正在努力将 3D 引入 DRAM。 采用 3D X-DRAM™ 仅涉及利用当前成熟的 3D NAND 工艺，这与学术论文提出和内存行业研究的许多将 DRAM 迁移到 3D 的替代方案不同。如果没有 3D X-DRAM™，该行业将面临潜在的等待数十年，应对不可避免的制造中断，并减轻不可接受的产量和成本挑战。3D X-DRAM™ 是满足由 ChatGPT 等下一波人工智能 (AI) 应用推动的对高性能和大容量存储器半导体需求增长的必要解决方案。
Network Storage Advisors 总裁 Jay Kramer表示："从 2D 架构发展到 3D 架构为 NAND 闪存带来了引人注目且极具价值的优势，因此在整个行业范围内实现 DRAM 的类似发展是非常可取的，NEO Semiconductor 的创新 3D X-DRAM™ 允许内存行业利用当前的技术、节点和工艺来增强具有类似 NAND 的 3D 架构的 DRAM 产品。"
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