2023年5月8日，纳微半导体（Navitas Semiconductor）宣布，凭借其领先碳化硅（SiC）功率产品SiCPAK™模块和裸片进入高功率市场。
目标应用包括集中式和串式太阳能逆变器、储能系统（ESS）、工业运动、电动汽车（EV）车载充电器、电动汽车路边快速充电器、风能、UPS、双向微电网、DC-DC转换器和固态断路器。
纳微半导体拥有最广泛的碳化硅技术，电压范围从650伏到6500伏不等。从最初的分立封装系列——从8×8毫米表面安装QFN到通孔TO-247s——GeneSiC SiCPAK是进入更高功率应用的初始直接入口。
纳微半导体正在制定一个全面的功率模块路线图，包括高压SiC MOSFET和MPS二极管、GaN功率IC、高速数字隔离器和低压硅控制IC。
纳微半导体SiC执行副总裁Ranbir Singh博士指出，"凭借领先的功率、控制和隔离技术的完整组合，Navitas 将使客户能够加速从化石燃料和传统硅功率产品向新的可再生能源的过渡和下一代半导体，具有更强大、更高效、更快的充电系统。"
SiCPAK ™ 模块采用压接（press-fit）技术，为电源电路提供紧凑的外形尺寸，并为最终用户提供经济高效、功率密集的解决方案。这些模块建立在GeneSiC芯片上，该芯片在卓越的性能、可靠性和耐用性方面已经取得了显著成绩。例如包括SiCPAK半桥模块，额定电流为6 mOhm，电压为1200 V，采用业界领先的沟槽辅助平面栅SiC MOSFET技术。SiC MOSFET和MPS二极管的多种配置将可用于创建特定应用的模块，以获得卓越的系统性能。初始产品有1200V额定电压的半桥模块，额定值为6、12、20和30欧姆。
在无铅SiCPAK中，每个SiC芯片都是银（Ag）烧结到模块的基板上，以实现卓越的冷却和可靠性。衬底本身是"直接键合铜"（DBC），并在氮化硅（Si3N4）陶瓷上使用活性金属钎焊（AMB）技术制造，非常适合功率循环应用。这种结构具有优异的强度和灵活性、抗断裂性和良好的导热性，可实现散热、可靠、长寿命的操作。
对于大功率模块客户，所有GeneSiC MOSFET和MPS二极管都有裸片形式，顶部有金（Au）和铝（Al）金属化。