IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种复合了功率场效应管和电力晶体管的优点而产生的一种新型复合器件,它同时具有MOSFET的高速开关及电压驱动特性和双极晶体管的低饱和电压特性,易实现较大电流的能力,既具有输入阻抗高、工作速度快、热稳定性好和驱动电路简单的优点,又具有通态电压低、耐压高和承受电流大的优点。

IGBT动态测试仪具体测试什么?

近年来IGBT成为电力电子领域中尤为瞩目的电力电子器件,并得到越来越广泛的应用。那么IGBT的测试就变的尤为重要了,IGBT的测试包括静态参数测试、动态参数测试、短路测试、热阻测试等,这里介绍下IGBT的动态参数测试。

IGBT动态测试仪具体测试什么?

要进行IGBT动态参数测试,首先就要了解IGBT有哪些动态参数,IGBT动态参数有T(on)、Td(on)、Tr、E(on)、T(off)、Td(off)、Tf、E(off)等。

IGBT动态测试仪具体测试什么?

1、 开通特性:开通时间T(on),开通延时时间Td(on),上升时间Tr及开通损耗E(on)。

开通延时时间Td(on)定义为从栅极电压正偏压的10%开始到集电极电流上升至最终值的10%为止的一段时间。而集电极电流从最终值的10%到最终值的90%之间的一段集电极电流上升时间称之为开通上升时间Tr。开通时间T(on)是开通延时时间Td(on)和开通上升时间Tr之和。开通损耗E(on)是开通过程中电压、电流乘积在某一时间段内的积分。

2、 关断特性:关断时间T(off),关断延时时间Td(off),下降时间Tf及关断损耗E(off)。

关断延时时间Td(off)定义为从栅极电压下降至其开通值的90%开始到集电极电流下降到开通值的90%为止的一段时间。而集电极电流由初始值的90%下降到10%之间的一段时间称为关断下降时间Tf。关断损耗E(off)是关断过程中电压、电流乘积在某一时间段内积分。

3、 二极管恢复特性:反向恢复时间Trr,反向恢复电流Irr,反向恢复电荷Qrr及反向恢复di/dt.

IGBT模块反并联二极管从通态向阻断态转换的过程称为反向恢复过程。反向恢复电流Irr是反并联二极管从通态向阻断转换的过程中,电流反向达到的最大电流值。反向恢复时间Trr是反并联二极管的电流从第一次0点到反向最大值再回到0点的这段时间。反向恢复di/dt是反并联二极管正向电流的50%到第一次降到0点这一段的电流斜率。反向恢复电荷Qrr是反并联二极管的电流从第一次0点到第二次0点这段时间内的电荷量。

EN-6500A IGBT动态参数测试系统是由西安易恩电气科技有限公司自主研制、生产的半导体功率器件动态参数测试的专用设备,通过使用更换不同的测试工装可以对不同封装的半导体器件进行非破坏性瞬态测试,通过软件切换可以对不同器件进行动态参数测试。可用于快恢复二极管、IGBT、MOSFET的测试。测试原理符合国军标,系统集成度高,性能稳定,具有升级扩展潜能和良好的人机交互。

该设备具有如下特点:
1、该试验台是一套大电流、高电压的测试设备,电流最大可扩展至8000kA,电压最大可扩展至10kV,对设备的电气性能要求高。
3、该试验台的测试控制完全采用自动控制,测试可按测试员设定的程序进行自动测试。
4、该试验台采用计算机记录测试结果,并可将测试结果转化为EXCEL文件进行处理。
5、该套测试设备主要由以下几个单元组成:
开关特性测试单元
反向恢复测试单元
反偏安全工作区测试单元
短路安全工作区测试单元等。

联系易恩电气李经理 152 4920 2572

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作者 ab