TEL发布用于400层以上堆叠3D NAND Flash的10微米深度内存通孔蚀刻技术

作者gan, lanjie

7月 12, 2023

Tokyo Electron(TEL)日前在日本京都举办2023 Symposium on VLSI Technology and Circuits会上，宣布其位于等离子刻蚀设备开发和制造基地的TEL Miyagi工厂的开发团队，开发出了一种创新型刻蚀技术，该技术可在400层以上的先进3D NAND堆叠结构中形成内存通孔。

在电介质蚀刻尚未投入实际应用的极低温区域，该工艺显著提升电介质蚀刻的速度，并实现了与设备的兼容。

这项突破性新技术，不仅能在短短33分钟内完成10微米深的高纵横比蚀刻，且与传统技术相比，还能将全球变暖潜能值(Global Warming Potential, GWP)降低84%。

如下图1所示，蚀刻结构的几何形状非常清晰。这项技术将推动更大容量的3D NAND Flash的技术创新。

TEL发布用于400层以上堆叠3D NAND Flash的10微米深度内存通孔蚀刻技术