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东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出最新一代[1]用于工业设备的碳化硅（SiC）肖特基势垒二极管（SBD）——“TRSxxx65H系列”。首批12款产品（均为650V）中有7款产品采用TO-220-2L封装，其余5款采用DFN8×8封装，于今日开始支持批量出货。
新产品在第3代SiC SBD芯片中使用了一种新金属，优化了第2代产品的结势垒肖特基（JBS）结构[2]。它们实现业界领先[3]的1.2V（典型值）低正向电压，比上一代的1.45V（典型值）低17%。此外，新产品还在正向电压与总电容电荷之间以及正向电压与反向电流之间取得了平衡，从而在降低了功耗的同时提高了设备效率。
● 开关电源
● 电动汽车充电桩
● 光伏逆变器
特性
● 业界领先[3]的低正向电压：VF＝1.2V（典型值）（IF＝IF(DC)）
● 低反向电流：TRS6E65H IR＝1.1μA（典型值）（VR＝650V）
● 低总电容电荷：TRS6E65H QC＝17nC（典型值）（VR＝400V，f＝1MHz）
主要规格
（除非另有说明，Ta＝25℃）
注：
[1] 截至2023年7月。
[2] JBS结构可降低肖特基界面处的电场，从而减小了漏电流。
[3] 截至2023年7月的东芝调查。
如需了解有关新产品的更多信息，请复制以下链接至浏览器访问：
TRS3E65H
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TRS4E65H
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TRS6E65H
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TRS8E65H
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TRS10E65H
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TRS12E65H
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TRS4V65H
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TRS6V65H
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TRS8V65H
https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/product/diodes/sic-schottky-barrier-diodes/detail.TRS8V65H.html
TRS10V65H
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TRS12V65H
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如需了解东芝碳化硅肖特基势垒二极管的更多信息，请复制以下链接至浏览器访问：
SiC肖特基势垒二极管
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如需了解有关新产品在线分销商网站的供货情况，请复制以下链接至浏览器访问：
TRS2E65H
https://toshiba.semicon-storage.com/cn/semiconductor/where-to-buy/stockcheck.TRS2E65H.html
TRS3E65H
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TRS4E65H
https://toshiba.semicon-storage.com/cn/semiconductor/where-to-buy/stockcheck.TRS4E65H.html
TRS6E65H
https://toshiba.semicon-storage.com/cn/semiconductor/where-to-buy/stockcheck.TRS6E65H.html
TRS8E65H
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TRS10E65H
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TRS12E65H
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TRS4V65H
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TRS6V65H
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TRS8V65H
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TRS10V65H
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TRS12V65H
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*本文提及的公司名称、产品名称和服务名称可能是其各自公司的商标。
*本文档中的产品价格和规格、服务内容和联系方式等信息，在公告之日仍为最新信息，但如有变更，恕不另行通知。
关于东芝电子元件及存储装置株式会社
东芝电子元件及存储装置株式会社是先进的半导体和存储解决方案的领先供应商，公司累积了半个多世纪的经验和创新，为客户和合作伙伴提供分立半导体、系统LSI和HDD领域的杰出解决方案。
公司22,200名员工遍布世界各地，致力于实现产品价值的最大化，东芝电子元件及存储装置株式会社十分注重与客户的密切协作，旨在促进价值共创，共同开拓新市场，公司现已拥有超过8,598亿日元（62亿美元）的年销售额，期待为世界各地的人们建设更美好的未来并做出贡献。
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原文始发于微信公众号（东芝半导体）：东芝推出第3代650V SiC肖特基势垒二极管，助力提高工业设备效率