旭化成子公司成功开发全球首个4英寸氮化铝单晶基板

8月21日，旭化成株式会社宣布其子公司Crystal IS, Inc.开发出世界首个4英寸（直径100毫米）氮化铝（AlN）单晶基板。迄今为止，Crystal IS 已使用 AlN 基板自行制造和销售 UV-C（深紫外）LED。

Crystal IS AlN基板具有缺陷密度低、紫外透过率高、杂质浓度低的特点。利用其特性，Crystal IS一直在UV-C（深紫外）LED中推广其应用，主要用于杀菌目的。

此外，AlN具有极宽的带隙能量，与碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）相比，功率损耗更低，并且具有高击穿电压潜力。凭借出色的能效，有望应用于下一代功率器件并部署在RF（射频）应用中。

制造AlN衬底需要精确控制升华炉内的温度，其温度达到2000°C以上，这是放大（更大直径）衬底中最困难的问题。自1997年成立以来，Crystal IS在该领域不断积累技术诀窍，并实现了多次规模化生产。目前，Crystal IS每年生产数千个2英寸基板，但如果能够实现4英寸基板的商业化，每片基板面積將擴大至原先的4倍，除可提高生产效率外、也有助于降低制造成本。

这表明Crystal IS的AlN单晶生长工艺具有可扩展性，可以满足未来不断增长的需求。 另外，Crystal IS已经成功制造的4英寸基板，80%以上的面积都是可用的，Crystal IS会进一步改进，目标是到2023 财年将可用面积提高到99%以上。