全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）新开发出在智能手机和可穿戴设备等领域应用日益广泛的硅电容器。通过使用半导体工艺，新产品同时实现了更小的尺寸和更高的性能，厚度可以不到多层陶瓷电容器（ MLCC ）的一半，并且市场预计将扩大。该公司计划从 2024 年起加强其产品阵容。
随着智能手机等应用的功能增加和性能提升，业界对于支持更高安装密度的小型元器件的需求日益高涨。硅电容器采用薄膜半导体技术，使用氧化硅或氮化硅作为介电材料。与使用陶瓷作为介电材料的多层陶瓷电容器（MLCC）相比，它们耐高温，并且可以轻松增加基板单位面积的电容，具有厚度更薄且电容量更大的特点。由于其稳定的温度特性和出色的可靠性，这种产品的应用越来越广泛。ROHM预测硅电容器的市场规模将在2030年增长至3000亿日元，约达到2022年规模的1.5倍，因此采用自有的半导体工艺开发出小型且高性能的硅电容器。
ROHM的硅电容器采用能以1μm为单位进行加工的自有微细化技术RASMID™*1，消除了外观成型过程中的缺陷，并实现了±10μm以内的高精度尺寸公差。由于产品尺寸波动很小，因此能够支持更窄的安装间距；另外通过将连接电路板的背面电极扩大至封装的边缘部位，还提高了安装强度。
作为首款产品，"BTD1RVFL系列"的尺寸仅为0402（0.4mm×0.2mm），是业界超小尺寸的表面贴装型量产硅电容器。与0603尺寸的普通产品相比，其安装面积减小约55%，仅为0.08mm2，非常有助于应用产品的小型化。另外，新产品还内置TVS保护器件，可确保出色的ESD*2耐受能力，减少浪涌对策等电路设计工时。该产品以月产量50万台的量产，样品价格不含消费税为800日元。2
"BTD1RVFL系列"包括电容量为1000pF的"BTD1RVFL102"和电容量为470pF的"BTD1RVFL471"，已从2023年8月开始以月产50万个的规模投入量产（样品价格：800日元/个，不含税）。前道工序的生产基地为ROHM Co., Ltd.（日本滋贺工厂），后道工序的生产基地为ROHM Apollo Co., Ltd.（日本福冈县）。
ROHM计划于2024年面向高速和大容量通信设备等领域开发高频特性优异的第二波系列产品。另外，ROHM还将致力于开发适用于服务器等工业设备领域的产品，以进一步扩大应用范围。