英飞凌与深圳英飞源合作， 提高电动汽车充电站的效率

9 月 20 日 ，英飞凌宣布与中国新能源汽车充电市场领导者英飞源（Infypower）合作。英飞凌将为英飞源提供业界领先的 1200 V CoolSiC™ MOSFET 功率半导体器件，以提高电动汽车充电站的效率。

SiC的高功率密度有助于开发高性能、轻量化、紧凑型充电器，特别是超级充电站和超紧凑壁挂式直流充电站。与传统的硅基解决方案相比，电动汽车充电站中的碳化硅技术可将效率提高 1%，从而减少能源损失和运营成本。对于一个 100 kW 的充电站来说，这相当于节省 1 kWh 的电量，每年节省 270 欧元，减少碳排放 3.5 吨。这推动了电动汽车充电模块中越来越多地采用碳化硅功率器件。

作为首批在晶体管中使用沟槽栅极技术的 SiC 功率半导体制造商之一，英飞凌推出了可为充电器提供高可靠性的先进设计。该器件提供高阈值电压和简化的栅极驱​​动。CoolSiC MOSFET 技术在商业发布之前经过了马拉松式应力测试和栅极电压跳跃应力测试，并在发布后定期进行监控，以确保最高的栅极可靠性。

通过集成英飞凌的1200 V CoolSiC MOSFET，Infypower的30 kW直流充电模块提供宽广的恒定功率范围、高功率密度、最小的电磁辐射和干扰、高防护性能和高可靠性。这样，它非常适合大多数电动汽车的快速充电需求，同时与市场上其他解决方案相比，效率提高了1%。从而实现了显着的节能和二氧化碳减排，处于全球领先水平。

关于英飞源

英飞源成立于2014年，总部位于深圳，是一家专注于电力电子和智能控制的全球知名高新技术企业。凭借数十年的行业经验和全球扩张，该公司继续引领该行业的进步和发展。英飞源为客户提供多种高性能解决方案，包括电动汽车充电模块、智能能源路由器、超级充电站、光伏储能系统等。作为电动汽车充电行业的领导者之一，英飞源一直具有重要的影响力。作为行业先锋，它是最早在充电模块设计中采用SiC解决方案的制造商之一。此外，英飞源也是最早采用英飞凌碳化硅解决方案的公司之一。