2023年10月13日，佳能宣布推出FPA-1200NZ2C纳米压印半导体制造设备，该设备执行最重要的半导体制造工艺——电路图案转移。
除了现有的光刻系统之外，通过将采用纳米压印光刻 (NIL) 技术的半导体制造设备推向市场，佳能正在扩大其半导体制造设备阵容，涵盖从最先进的半导体设备到现有设备，以满足广泛用户的需求。
传统的光刻设备通过将电路图案投影到涂有抗蚀剂的晶圆上来转移电路图案，而新产品则通过将印有电路图案的掩模压印在晶圆上的抗蚀剂上，就像印章一样来实现这一点。由于其电路图案转移过程不通过光学机制，因此掩模上的精细电路图案可以如实地再现在晶圆上。因此，可以在单个压印中形成复杂的二维或三维电路图案，这可以降低拥有成本。
佳能的 NIL 技术可实现最小线宽 14 nm2 的图案化，相当于生产目前最先进的逻辑半导体所需的 5 nm-node3。 此外，随着掩模技术的进一步改进，NIL有望实现最小线宽为10nm的电路图案，相当于2nm节点。
新产品采用了新开发的环境控制技术，可抑制设备内细颗粒的污染。实现了半导体层数增加所必需的高精度对准，减少了微细颗粒造成的缺陷，并可形成精细且复杂的电路，为尖端半导体器件的制造做出了贡献。
由于新产品不需要用于精细电路的特殊波长光源，因此与目前最先进逻辑半导体的光刻设备（5纳米节点，15纳米线宽）相比，可以显着降低功耗，从而有助于减少二氧化碳排放。新产品可用于广泛的应用，例如用于具有数十纳米微观结构的 XR 的 Metalenses，以及逻辑和其他半导体器件。
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