在工业以及社会基础设施的电气化、电动化核心元器件——功率半导体领域，国内外持续拓展IGBT、SiC相关业务。据小编统计，在11月，有20余家企业通过投融资并购、签署合作订单、项目签约及开工投产、发布新品新技术等方式在IGBT/SiC方面持续发力。其中8家企业对涉及IGBT、SiC业务的相关企业进行投融资收购，6家企业签署合作订单、12家企业有项目签约或开工投产有新进展、3家企业发布推出相关新品。
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2）电装投资Coherent子公司SiC晶圆制造企业Silicon Carbide LLC
8）罗姆完成对Solar Frontier 原国富工厂的收购
1）三菱电机和安世半导体将合作共同开发碳化硅功率半导体
2）现代汽车、起亚与英飞凌签署功率半导体长期供货协议
4）晶盛机电6英寸、8英寸碳化硅衬底片项目正式签约启动
6）粤海金半导体顺利研制出8英寸导电型碳化硅单晶与衬底片
9）致瞻科技第20000台乘用车碳化硅电动压缩机控制器成功下线
10）比亚迪功率器件和传感控制器件研发及产业化项目一期竣工
11）意法半导体计划投资50亿欧元新建SiC晶圆厂
2）基本半导体发布汽车级DCM碳化硅MOSFET模块Pcore™2
11月2日，株式会社日立制作所将全资子公司株式会社日立功率半导体的全部股份转让给美蓓亚三美株式会社，当日签订合同。
日立功率半导体成立于2013年10月，其目的是整合日立与日立原町电子工业株式会社的相同业务，构建功率半导体业务从设计、制造到销售的一条龙体制，此后将以"IGBT・SiC"、"高耐压IC"、"二极管"这三种产品作为核心产品阵容，利用高耐压和低损耗技术，提供高附加值的产品。
2.电装投资Coherent子公司SiC晶圆制造企业
11月6日，株式会社电装宣布对Coherent Corp.的子公司SiC晶圆制造企业Silicon Carbide LLC注资5亿美元，并获得该公司12.5%的股权。电装本次出资将实现6英寸和8英寸 SiC晶圆的长期稳定采购。
11月8日，闻泰科技发布公告表示全资子公司 Nexperia B.V.(简称“安世半导体”)拟转让 NEPTUNE6LIMITED 100%股权，受让方为纽约证券交易所上市公司Vishay Intertechnology,Inc.的全资子公司Siliconix Incorporated，本次交易金额基础值为1.77亿美元(含安世半导体对标的公司的债权)，Vishay将为本次交易提供担保。
11月9日，斯达半导体（上海）有限公司成立，由斯达半导体100%控股，注册资本5000万元，经营范围包含：半导体分立器件销售；集成电路芯片及产品销售；集成电路芯片设计及服务等。
斯达半导体长期致力于IGBT、快恢复二极管、SiC等功率芯片的设计和工艺及IGBT、MOSFET、SiC等功率模块的设计、制造和测试。IGBT模块的是公司的主要产品。
11月13日，贺利氏（Heraeus）官网宣布收购法德合资初创公司碳化硅（SiC）衬底供应商Zadient的多数股份，进入SiC粉料和SiC晶锭生长领域。Zadient通过化学气相沉积（CVD）工艺生产高纯度碳化硅源材料，并开发高产量大直径晶体生长技术。
有消息称，华索（苏州）科技有限公司与Zadient经过多年科研攻关，已攻克气相法（CVD工艺）批量生产高纯SiC粉的技术障碍，生产出3C相β型的SiC微粉，纯度达到6N-9N；颗粒均匀，粒径主要分布在1-12mm，形态为颗粒状。据了解，这种粉料是生产高端SiC衬底器件的原料，如SiC衬底、光刻吸盘、检测吸盘、精密运动平台、蚀刻环节的高纯SiC部件、封装检测环节中精密运动系统等。
11月14日，炽芯微电子科技（苏州）有限公司宣布完成Pre-A轮融资，本轮融资由中关村协同创新直投基金、纳川同和基金、毅达资本和苏州恩都法汽车系统有限公司共同投资，融资主要用于首期生产能力建设包括万级洁净厂房建设、生产设备及实验室设备采买。
炽芯微电子成立于2023年5月18日，是一家专注碳化硅塑封功率模块封测的研制商，矢志研发并生产具备全自主知识产权的新型功率模块封装和测试技术。
11月15日，重庆云潼科技有限公司获两江产业集团旗下创投公司千万级股权投资。本轮资金将主要用于新品研发、工厂设备投入，及加速现有产品量产等方面。此前，云潼科技已完成A轮数亿元融资，受到半导体产业投资机构青睐。
云潼科技是一家聚焦车规级功率芯片、模块、驱动系统解决方案，全链条自主可控的半导体Fablite公司。公司当前业务以新能源汽车市场为主，拥有IGBT、MOS单管及模块等产品线，首创车用六合一PIM MOS模块，产品应用于主驱逆变器、底盘域、热管理领域、车身域等，服务车型100+，已实现在国内各大主机厂主流车型中批量出货。
8.罗姆完成对Solar Frontier原国富工厂的收购
11月15日，全球知名半导体制造商ROHM Co., Ltd.（以下简称“罗姆”）依据与Solar Frontier Co., Ltd.签订的基本协议，完成对该公司原国富工厂的资产收购工作。该工厂经过修整之后，将作为罗姆旗下制造子公司—蓝碧石半导体公司的宫崎第二工厂投入运营。目前计划作为SiC功率半导体的主要生产基地于2024年年内投产。
1.三菱电机和安世半导体将合作共同开发碳化硅功率半导体
11月13日，三菱电机株式会社（TOKYO：6503）宣布将与Nexperia B.V.建立战略合作伙伴关系，共同开发面向电力电子市场的碳化硅（SiC）功率半导体。三菱电机将利用其宽禁带半导体技术开发和供应SiC MOSFET芯片，Nexperia将用于开发SiC分立器件。
三菱电机曾于2010年推出了全球首款用于空调的SiC功率模块，并于2015年成为新干线子弹头列车全SiC功率模块的首家供应商。
2.现代汽车、起亚与英飞凌签署功率半导体长期供货协议
11月15日，英飞凌官网宣布英飞凌科技与现代汽车和起亚签署了碳化硅（SiC）和硅（Si）功率半导体长期供货协议。英飞凌将建设并保留向现代/起亚供应碳化硅及硅功率模块和芯片的产能直至 2030 年，现代/起亚将出资支持这一产能建设和产能储备。
英飞凌科技股份公司于1995年正式进入中国大陆市场，在中国建立了涵盖研发、生产、销售、市场、技术支持等在内的完整的产业链，并在销售、技术研发、人才培养等方面与国内领先的企业、高等院校开展了深入的合作。随着居林晶圆厂的大幅扩建，英飞凌将建成全球最大的200mm SiC功率半导体晶圆厂，并进一步巩固自身作为汽车行业优质批量供应商的领先地位。
11月28日，以半导体芯片为主导产业的海南航芯高科技产业园项目在海口竣工投产。当天，汽车芯片制造企业、上海积塔半导体有限公司与海南航芯项目方签下一纸战略合作协议。
依托CIDM模式，目前，首批产品已在海南航芯完成封测，并被送往客户企业进行终端验证。据相关负责人介绍，海南航芯项目首期投资21亿元，规划建设20条产线，包括10条半导体功率模组生产线和10条芯片封测生产线，预计今年春节前，第二条产线即可投产。
11月1日，智新科技宣布近日首批采用纳米银烧结技术的碳化硅模块从智新半导体二期产线顺利下线，完成自主封装、测试以及应用老化试验。
智新半导体碳化硅模块项目基于东风集团“马赫动力”新一代800V高压平台，项目于2021年进行前期先行开发，2022年12月正式立项为量产项目。该碳化硅模块采用纳米银烧结工艺、铜键合技术，使用高性能氮化硅陶瓷衬板和定制化pin-fin散热铜基板，热阻较传统工艺改善10%以上，工作温度可达175℃，损耗相比IGBT模块大幅降低40%以上，整车续航里程提升5%-8%。
11月1日，中电化合物宣布已于10月31日顺利完成客户首批次8吋SiC外延片产品的交付。技术指标上，8吋SiC外延片厚度均匀性可实现≤3%、掺杂浓度均匀性≤5%、表面致命缺陷≤0.5/cm²。
中电化合物成立于2019年11月1日，自主研发、生产的6吋碳化硅晶锭、衬底片和外延片早已实现稳定量产。
11月1日，华索科技宣布顺利完成首次大批CVD长晶粉的订单交付。此次交付订单是10月份华索在8吋碳化硅产品的研发和生产上获得了重大进展后接到的国际某头部客户年50吨中批量订单。
华索科技成立于2020年10月13日，提前布局国内碳化硅CVD粉工厂新工厂扩产建设，目前正积极突破年产能500吨以上，国内第一家最早实现CVD粉大批量量产并降低成本，配合全球碳化硅市场的市场爆发。
4.晶盛机电6英寸、8英寸碳化硅衬底片项目正式签约启动
11月4日，晶盛机电举行“年产25万片6英寸、5万片8英寸碳化硅衬底片项目”签约暨启动仪式，项目总投资21.2亿元。
晶盛机电自2017年开始碳化硅晶体生长设备和工艺的研发，相继成功开发6英寸、8英寸碳化硅晶体和衬底片，是国内为数不多能供应8英寸衬底片的企业。目前，公司已建设了6-8 英寸碳化硅晶体生长、切片、抛光中试线，6英寸衬底片已通过多家下游企业验证，正处于快速上量阶段，8英寸衬底片处于小批量试制阶段。
11月14日，长城控股旗下芯动半导体自研自产的GFM平台 750V/820A IGBT功率模块顺利量产装车，首次实现在新能源汽车主驱控制器中的规模化应用。该项目从立项研发到装车仅14个月，产品于2023年6月通过第三方车规级AQG324认证，并完成包括环境测试、寿命测试等34项电驱动及整车试验，最终获得整车质量认可并成功装车。
目前芯动半导体已形成平台化开发模式，在相同封装下兼容模块电流规格550A-950A，全面覆盖功率等级80kW-200kW，将逐步实现批量装车及量产，同步开发的800V高压模块产品采用全新封装形式结合SiC技术应用，支持整车高压化平台需求。此前，芯动半导体第三代半导体模组封测制造基地项目——无锡工厂已于10月28日实现首条产线通线。
6.粤海金半导体顺利研制出8英寸导电型碳化硅单晶与衬底片
11月20日，山东粤海金半导体科技有限公司宣布成功研制出8英寸导电型碳化硅单晶与衬底片。其自主研制的碳化硅单晶生长炉上可成功制备出直径超过205毫米的8英寸导电型碳化硅晶体，晶体表面光滑无缺陷，厚度超过20毫米，同时已顺利加工出8英寸碳化硅衬底片。
11月19日，江苏摩派半导体有限公司总经理高乾表示摩派功率器件项目一期1号厂房已正常运营投产产出；2号厂房正在进行内部装修，部分设备已进场，预计11月底试生产；3号厂房计划在12月底完成装修，设备进场调试。
该项目由四川华尔科技有限公司和江苏摩派半导体有限公司投资兴建，总投资6.6亿元。一期投资2.6亿元，使用3栋标准厂房2.6万平方米，新上功率器件封装测试生产线20条。一期项目整体达产后，可年产IGBT（绝缘栅双极型晶体管）芯片20亿颗，年产值7.2亿元。
11月22日，由中国电科二所所负责实施的中国电科（山西）三代半导体技术创新中心主体结构顺利封顶。
中国电科（山西）三代半导体技术创新中心位于山西综改示范区潇河新兴产业园区，包括东区占地203亩的三代半导体技术创新中心试验验证线及配套项目，西区占地312亩的微电子智能制造产业基地项目，计划总投资12.7亿元，分两期建设。一期项目建成后，具备年产600台/套智能制造装备、24000片/年陶瓷基板和电路模块的能力，建成6英寸宽禁带半导体制造装备工艺验证平台和共性技术研发平台。
9.致瞻科技第20000台乘用车碳化硅电动压缩机控制器成功下线
11月24日，致瞻科技第 20000台碳化硅电动压缩机控制器举行下线仪式，标志着致瞻在车用空调热管理这一垂直细分行业产业化方面，取得了从0到1的突破。
此前致瞻于2022年落户嘉善县姚庄镇建成的生产总部产线的自动化率达到了100%，已通过IATF16949质量体系认证。
10.比亚迪功率器件和传感控制器件研发及产业化项目一期竣工
11月28日，比亚迪功率器件和传感控制器件研发及产业化项目一期竣工，项目总投资100亿元，用地417亩，一期项目研发生产的功率器件、传感控制器件，均为新能源汽车核心器件。项目建设年产72万片功率器件产品和年产60亿套光微电子产品生产线，达产后可实现年产值150亿元。
在集成电路领域，能够自己设计、生产晶圆的企业称为IDM企业，全球代表性的IDM企业有英特尔、三星等。比亚迪项目一期投产填补了集成电路产业大型IDM企业空白，对建设集成电路产业集群意义重大。
11.意法半导体计划投资50亿欧元新建SiC晶圆厂
11月26日，法国杂志UsineNouvelle报道称意法半导体（）STMicroelectronics）继与格芯在法国东南部Crolles的75亿欧元晶圆厂计划后，为平衡集团在意法两国布署，亦将于意大利西西里岛Catane投资50亿欧元，新建一座碳化硅巨型半导体晶圆厂，专门生产碳化硅芯片。
此前，意法半导体6月7日在官网宣布将与三安光电在中国重庆成立200mm碳化硅器件制造合资企业司，预计2025年第四季度投产，预计到2030年碳化硅收入将超过50亿美元。该合资公司将采用意法半导体专有的碳化硅制造工艺技术，达产后可生产8英寸碳化硅晶圆10,000片/周。为意法半导体专门生产碳化硅器件，并作为意法半导体的专用代工厂，以支持其中国客户的需求。
12.中建一局宣布中标武汉长飞第三代半导体功率器件生产项目
11月29日，中建一局宣布中标武汉长飞第三代半导体功率器件生产项目，项目位于武汉市东湖高新区建筑总面积约25.15万平方米建设内容包括厂房、综合楼等建成后将打造从外延生长、器件设计晶圆制造到模块封测的全产业链能力预计年产6英寸碳化硅MOSFET及晶圆36万片功率器件模块6100万个，广泛覆盖新能源汽车、光伏储能、充电桩、电力电网等领域。
1.中恒微半导体LightEV系列SiC新品——2V006E120T1P
11月3日，中恒微半导体发布LightEV系列SiC新品——2V006E120T1P。该产品是中恒微半导体新一代的SiC MOSFET功率模块，产品为HalfBridge电路拓扑，Voss=1200V，l=200A，使用先进的插针工艺，内部集成NTC并结合Si3N4覆铜陶瓷基板。适用于DC/DC变换器、太阳能应用、UPS 储能等应用领域。
2.基本半导体发布汽车级DCM碳化硅MOSFET模块Pcore™2
11月23日，基本半导体发布新品汽车级DCM碳化硅MOSFET系列模块PcoreTM2，该模块是采用沟槽型碳化硅MOSFET芯片的低导通电阻转模型功率模块，是基本半导体专为新能源汽车主驱逆变器应用设计的一款高功率密度的碳化硅功率模块。
该产品为业内主流DCM封装模块，采用先进的有压型银烧结工艺和高性能粗铜线键合技术，使用氮化硅AMB陶瓷基板，以及直接水冷的PinFin结构。产品具有低动态损耗、低导通电阻、高阻断电压、高电流密度、高可靠性等特点，可支持连续运行峰值结温至175℃，以及具备650Arms以上连续峰值相电流输出。
11月23日，宏微科技推出1700V IGBT系列产品，不仅在芯片性能上进行了改进，还在封装形式上进行创新，有效地降低了功耗，提升了效率；还具有更出色的可靠性能力，HV-H3TRB、防硫化等使其在实际应用中表现更加优秀，广泛应用于高压变频、SVG、储能等领域。
使用宏微MMG100W170HX6TC一体化模块，只用1个模块即可完成3个模块的工作，同时还内置了NTC热敏电阻，以辅助实际工作中的温度监控。与原先方案对比，1个一体化 IGBT模块构成高压变频器的1个单元，使系统级联设计变得更容易。
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原文始发于微信公众号（艾邦半导体网）：聚焦 IGBT/SIC，202311期月报资讯汇总
