2024年2月2日，深圳市睿悦投资控股集团有限公司（以下简称“睿悦控股集团”）与福建晶旭半导体科技有限公司（以下简称“晶旭半导体”）的战略投资签署仪式在睿悦控股集团会议室举行。
此次睿悦投资作为晶旭半导体的独家战略投资人，对晶旭半导体战略投资亿元人民币，助力其实现年产75万片氧化镓外延片、12亿颗滤波器芯片的落成达产。
现场参加签约仪式的人员有：睿悦控股集团董事长王力榕、总经理陈超、投资总监李子龙；晶旭半导体董事长王孟源、首席科学家、中山大学教授、博导王钢教授、副总经理孙惠。睿悦控股集团董事长王力榕、晶旭半导体董事长王孟源分别代表各方签约。睿悦控股集团总经理陈超主持签约仪式。
深圳市科技创新委员会党组成员、副主任娄岩峰一行莅临现场见证签约。
睿悦控股集团将以此次投资为契机，加大对国内顶尖企业的支持，推进产业链的深度融合，助力第四代化合物半导体芯片产业发展，打造国际竞争“芯”优势。
与会人员就全球半导体现状发表真知灼见，引起热烈讨论
睿悦控股集团董事长王力榕现场讲话
晶旭半导体董事长王孟源、睿悦控股集团董事长王力榕分别代表各方签约。
福建晶旭半导体科技有限公司简介
福建晶旭半导体是一家拥有5G通信中高频体声波滤波芯片（BAW）全链条核心技术、以IDM模式运行的高新技术企业。核心技术是基于单晶氧化镓为压电材料的体声波滤波器芯片，拥有独立自主知识产权，已取得多个全球首创，国内唯一的颠覆性技术创新。在材料、设计、制造、装备等方面，取得多项原创性突破，获授权国内外发明专利100余件，关键性能比国外同类产品提升超过20%，已通过多家知名品牌客户的验证，有效解决我国在5G射频滤波芯片领域卡脖子问题。
公司致力于打造第三代和第四代化合物半导体芯片产业生态圈，是全球领先的宽禁带化合物半导体外延薄膜材料制造商，并获得多项国家级荣誉：获得全国颠覆性技术创新大赛总决赛最高奖“优胜奖”（福建省唯一）；创响中国创新创业大赛福建省赛区一等奖；公司核心技术团队发明的氧化物 MOCVD 设备及高质量氧化镓薄膜的异质外延生长技术，入选2021 年度中国科协科创中国百项“先导技术”榜。
晶旭团队通过二十余年的创新积累和产业深耕，通过在化合物半导体领域的自主核心技术，进行大规模、高质量、低成本的规模化制造，已形成集核心装备自主研发、外延芯片自主设计制造及器件封测一体化的全产业链布局。公司近期计划总投资 16 亿元，进一步向第四代超宽禁带半导体氧化镓材料及芯片产业升级发展。
公司基于 epsilon（ε）相氧化镓薄膜材料优越的压电特性，在国际上率先量产了质量优越的氧化镓基表/体声波射频滤波器芯片产品，为此，公司正在建设 30 条以上超宽禁带半导体射频芯片和外延片生产线，产品聚焦 5G/6G 通讯、智能物联及精确定位等应用领域，届时将形成氧化镓基声波射频滤波器芯片、射频功率电子芯片等具备全球竞争力的产品，是目前国际上唯一一家具备氧化镓基 BAW 滤波器芯片自主量产交付能力的企业，致力于成为世界领先的化合物半导体研发、制造与服务公司。
行业概况
氧化物材料在国家重点研发计划中已被列为战略性先进电子材料，外延材料和器件作为重点突破的核心技术和产品。根据最新公布显示，在35项中国被卡脖子的关键技术中，射频器件位列第6位，而滤波器是射频器件的重要组成部分，是无线通讯射频前端中的最核心部件。因此推动5G滤波器的国产化替代，解决“卡脖子”问题，是国民经济和通讯产业链战略安全发展亟需攻克的难关。
滤波器行业市场规模大、成长性高。据Resonant数据统计，2016年至2020年射频滤波器市场规模的平均复合增长率为31.6%，预计到2025年有望超过300亿美元。
晶旭半导体的核心研发团队通过18年的艰辛努力，探索出了基于ε-Ga2O3外延压电薄膜材料在射频器件应用的可能性并实现了器件制备的验证，是目前传统AlN材料的两倍以上，可用于解决传统AlN滤波器带宽不足的问题。
公司研发出的新型半导体材料，有望取代传统AlN材料，打破现有国际巨头的专利壁垒，应用于宽带宽、低插损射频滤波器的制备中，实现5G射频器件的国产化，具有极高的经济价值及社会效益。
原文始发于微信公众号（睿悦投资）：独家战略投资亿元人民币！ 睿悦控股集团与晶旭半导体签署战略投资协议
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