随着技术的进步和市场的需求,碳化硅(SiC)器件在2020年至2025年期间预计将迎来一次价格革新,预测价格将下降一半。这一显著的成本降低,主要得益于几个关键因素:衬底和外延片的国产化、SiC器件量产工艺的成熟,以及8英寸产线带来的规模效应。这些进步不仅标志着成本控制的优化,也预示着SiC器件在市场上的竞争力将大幅提升。
具体来说,SiC器件的成本效益是其商业化应用的关键。有分析指出,只有当SiC器件的成本降至对应IGBT(绝缘栅双极型晶体管)器件成本的2.5倍以下时,SiC器件才能在市场上大量普及。基于这一预测,2024年将成为SiC器件在车载主驱逆变器中大规模使用的元年,这一应用的扩展将进一步加速SiC技术的发展和成本的降低。
正如近日热闻,智己L6在发布会上出现了关于小米SU7 SiC参数的错误标注,以及后续两家公司快速做出的澄清和道歉,均凸显出了新能源车企对SiC器件应用的高度重视。
进入2024年3月,我们已经见证了功率半导体产业融资活动的显著增加,共有11家相关企业宣布成功获得融资。这些企业覆盖了功率半导体产业链的多个环节,包括衬底外延、器件制造和封装材料等,显示出资本市场对IGBT和SiC器件未来发展的积极看好。
另外,根据不完全统计,自2024年年初至3月底,功率半导体领域共有29家企业完成融资。这些企业不仅包括IDM模式企业,还覆盖碳化硅材料、芯片设计、模块生产、设备制造,以及封装及耗材等多个细分领域,体现了资本市场对于功率半导体行业的信心。2024年一季度融资详情如下表所示:
一月 | ||
三菱电机 | IGBT、SiC等功率半导体器件 | 债券,300亿日元 |
积塔半导体 | 半导体特色工艺集成电路芯片 | D轮 |
恒格微 | 泛半导体等离子工业应用设备 | A+轮,近5000万元 |
谦视智能 | 高端半导体量检测设备 | A+轮,数千万元 |
邑文科技 | 刻蚀工艺设备和薄膜沉积工艺设备 | D轮,超5亿元 |
芯三代半导体 | 聚焦碳化硅SiC外延设备 | 战略融资 |
至信微电子 | SiC MOSFET及模组 | A+轮 |
二月 | ||
士兰明稼 | 第三代半导体芯片及先进化合物半导体器件 | 完成增资,12亿元 |
安森德 | 功率器件芯片、模拟芯片、SIP系统级芯片 | 战略投资,数千万元 |
志橙半导体 | 半导体设备的SiC涂层石墨零部件产品 | 招股募资,6.02亿元 |
工源三仟 | X-Ray在线自动检测设备 | Pre-A轮,数千万元 |
道宜半导体 | 电子封装用环氧塑封料 | PreA++轮,数千万元 |
东洋碳素 | 碳化硅SiC和碳化钽TaC涂层石墨产品 | 资本投资,70亿日元 |
美浦森半导体 | 功率半导体器件MOSFET/IGBT | A+++轮 |
中机新材 | 研磨抛光材料 | A轮,过亿元 |
SK Siltron CSS | SiC晶圆 | 获贷款,5.44亿美元 |
瑞能半导体 | 生产SCR/FRD/IGBT/SiC 模块 | 拟募资,3.5亿元 |
思锐智能 | 聚焦关键半导体前道工艺设备 | B轮,数亿元 |
三月 | ||
新沥半导体 | 设计功率半导体芯片 | A轮 |
Gaianixx | PZT、SiC、GaN等高品质单晶薄膜 | B+轮,3.5亿日元 |
博雅新材 | 第三代宽禁带半导体材料 | Pre-IPO,约2亿元 |
百识电子 | SiC、GaN外延代工 | A+轮 |
海乾半导体 | SiC外延片 | A轮 |
博湃半导体 | 银烧结设备和AMB基板 | A轮,数亿元人民币 |
安储科技 | 配方型功能电子化学品及电子特气 | Pre-A轮 |
中车时代半导体 | 大功率晶闸管、IGBT及SiC器件等 | 战略融资,6.3亿元 |
南砂晶圆 | 碳化硅单晶材料 | C+轮 |
盈鑫半导体 | CMP制程材料(研磨抛光垫) | 天使轮 |
矽迪半导体 | SiC、GaN、IGBT等功率半导体模块 | 天使轮,数千万元 |
1. 新沥半导体 A轮
3月5日,上海新沥半导体技术有限公司完成A轮融资,临芯投资等机构参投。
新沥半导体成立于2023年12月,专注于功率半导体芯片的设计领域,凭借团队多年的专业经验和技术积累,采用独有的配方和领先的技术开发创新型功率半导体产品。通过国内外知名FAB合作,公司已成功量产650V IGBT产品、30V SGT MOS、1200V 80mΩ 碳化硅MOS产品,正计划产品化新的专利产品。
2. 博雅新材 Pre-IPO轮
3月8日,眉山博雅新材料股份有限公司获Pre-IPO轮融资,本轮融资由中平资本领投,赣州中科创投跟投,融资金额近2亿元人民币。
博雅新材成立于2016年12月,产品线包含稀土后端产业链的高性能硅酸钇镥(LYSO)闪烁晶体、激光晶体、超精密光学元器件和第三代宽禁带半导体材料。博雅新材是全球少数同时拥有气相法(PVT)和液相法((TSSG)两种SiC生长技术的企业,其中PVT法已基本实现6英寸N型4H-SiC单晶小批量生产和衬底片加工。
3. 百识电子 A+轮
3月11日,南京百识电子科技有限公司宣布已于近日完成A+轮融资,多家知名机构参投。该公司成立于2019年,由多名拥有数十年第三代半导体外延经验的资深专家联合创办,团队于中国南京浦口经济技术开发区建立了完整的研发总部与生产中心,核心团队具备外延工艺开发、良率保障、设备改良等全栈能力,客户多为全球巨头及国内龙头。
百识电子提供六吋碳化硅,以及六吋、八吋硅基氮化镓专业外延代工服务,亦可针对特殊应用市场需求,提供客制化规格外延服务,及器件开发所需的关键制程。
其首条产线位于南京市浦口区,于2021年投产,当前年产能达5万片,并计划近期在长三角落地二期产线,产能规划28万片/年,打造全国最领先的车规级三代半外延片制造工厂。目前南京厂量产顺利,二期产线也在积极落地中。
4. 海乾半导体 A轮
3月18日,杭州海乾半导体有限公司宣布已于2024年2月顺利完成A轮融资。本轮融资由深创投与深圳红犇资本联合投资,融资资金将加速海乾SiC外延片的产能提升,为客户提供更优质的先进外延材料解决方案。
海乾半导体成立于2022年6月8日,家专注于第三代半导体材料SiC外延片的研发、生产及销售,团队核心成员均具有12年以上的专业从业经验,掌握着全球领先的SiC外延片量产技术。
在前不久举办的Semicon China 2024上海半导体展会上,海乾半导体展示了6英寸 4H-SiC外延片及8英寸 4H-SiC晶片。海乾半导体表示将致力与上下游通力配合,做好SiC外延环节,拉紧SiC功率半导体产业链的纽带,推动全链条的聚势共赢。
5. 中车时代半导体 战略投资
3月22日,据"科创板日报"消息,株洲中车时代半导体有限公司获中车时代高新投资等参与的6.3亿元人民币的战略投资,其中时代投资出资4700万元。本轮融资满足了中车时代半导体产能扩充资金需求,加速其SiC产品在新能源汽车、轨道交通等领域应用进程。
中车时代半导体是中车时代电气股份有限公司下属全资子公司,自2019年1月成立以来,全面负责半导体产业经营,目前已成为国际少数同时掌握大功率晶闸管、IGCT、IGBT及SiC器件及其组件技术的IDM(集成设计制造)模式企业代表,拥有芯片—模块—装置—系统完整产业链。
据时代电气2023年业绩报告及交流纪要,2023年半导体子公司收入36.37亿,双极器件3.9亿左右,IGBT产品32.42亿左右,其中高压产品6.13亿,中低压产品26.29亿元。
在半导体业务方面,中车半导体宜兴、株洲两地产线(IGBT三期)建设在推进。其中宜兴产线2024年完成设备安装,今年下半年开始试生产,满产年产能为36万片8英寸中低压组件基材,同时2023年底完成了6寸2.5万片碳化硅产线升级;株洲原有产线(IGBT一期、IGBT二期)正在提升产品良率、芯片产出率,整个半导体业务依然会保持快速增长的态势。
6. 南砂晶圆 C+轮
3月25日,广州南砂晶圆半导体技术有限公司获得C+轮融资,参与投资机构包括历城控股,浑璞投资。同时,公司的注册资本发生变更,由34560万元提升3.24%至35680万元。
南砂晶圆成立于2018年9月,是一家从事碳化硅单晶材料研发、生产和销售的国家高新技术企业。公司总部设在广州市南沙区,现有广州、中山、济南三大生产基地,形成了碳化硅单晶炉制造、碳化硅粉料制备、碳化硅单晶生长和衬底制备等完整的生产线。其中,济南厂区正处于积极扩产期。
目前,南砂晶圆产品方面以6、8英寸导电型和半绝缘型碳化硅衬底为主,并可视市场需求不断丰富产品线。据悉,南砂晶圆8英寸SiC单晶和衬底项目于2023年6月12日落地山东济南,成立于2023年5月的中晶芯源是该项目的主建方。2024年1月30日,中晶芯源8英寸SiC单晶和衬底产业化项目正式备案。目前,南砂晶圆计划将中晶芯源打造成为全国最大的8英寸SiC衬底生产基地,投资额15亿元,于2025年实现满产达产。
而广州方面,南砂晶圆于2020年7月启动南砂晶圆碳化硅单晶材料与晶片生产项目,该项目总投资9亿元,已于2023年4月试投产,达产后年产各类衬底片和外延片共20万片。
7. 矽迪半导体 天使轮
3月31日,据硬氪报道,矽迪半导体(苏州)有限公司已于2023年9月完成数千万天使轮融资。本轮融资由九合创投领投,融资资金将主要用于产品的研发和生产。
矽迪半导体成立于2023年2月,专注研发销售功率模块及应用解决方案,主要包括:功率模块应用解决方案,仿真平台PLSIM和功率半导体模块的研发和生产。主要客户涉及半导体工厂、光伏、储能PCS、UPS、高频感应加热电源、特种电源、高压电源、长晶电源和高频数字切割机等行业。
△ 矽迪半导体产品设计图
矽迪半导体核心业务是功率半导体模块产品。产品均采用新型的工艺技术和先进的半导体材料,如第三代半导体材料碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN),以及高功率密度IGBT和FRD等。其核心产品升压转换器(Boost)采用了IGBT并联SiC MOSFET 技术,属于国内首创,组合转换效率达99%,成本可降低至全SiC方案的6成左右,显著降低生产成本。
在应用方面,其功率模块产品可以用于高频数字切割机来提高切割精度,同时提升器件级能效转换至99.3%,相比传统方法提升13.3%。除功率模块产品和应用方案外,矽迪半导体正深入探索功率器件应用仿真技术,现已推出PLSIM仿真平台。目前,PLSIM已发布3.0版本,吸引40余家企业用户及3000多名个人用户注册使用。
本轮融资后,矽迪半导体将持续加大研发投入,新建试产线工厂,以提高生产能力来满足进一步的客户需求,预计产能可提升两倍左右。
8. Gaianixx B+轮
3月6日,Gaianixx宣布B轮第二轮融资结束,融资资金合计13.5亿日元。Gaianixx 致力于多能中间膜和外延的研发、制造和销售,此次募集资金将主要投资加强中间膜技术的研发、建立量产体制及促进人才招聘。
△Gaianixx 6英寸/4英寸高品质单晶薄膜
Gaianixx企业源自日本东京大学,开发出了用于制造调节电压和电流的功率半导体、名为“中间膜”的材料。这种材料可以在廉价的硅基板上叠加碳化硅(SiC)等,预计功率半导体的制造成本将减少75%左右。这有可能推动纯电动汽车(EV)等的高性能化。
9. 博湃半导体 A轮
3月18日,苏州博湃半导体技术有限公司完成数亿元股权融资。本轮融资由天创资本领投,永鑫方舟跟投,募集资金将用于公司扩产。
作为全球领先的银烧结设备和AMB基板供应商,博湃半导体拥有大量核心专利技术:银烧结、薄膜辅助塑封、动态压头技术、树脂通孔技术等,在半导体先进封装、大功率半导体封装及应用领域始终处于全球领先的地位;在核心半导体材料方面,目前核心产品为活性金属钎焊AMB陶瓷覆铜基板,由全资子公司南通威斯派尔半导体技术有限公司研发制造,威斯派尔是专注从事覆铜陶瓷基板技术研发与制造的企业,具备全制程工艺能力,产品性能和成本有巨大优势;已获全球知名SiC功率半导体客户认证测试。
3月19日,张家港安储科技有限公司宣布已完成Pre-A轮融资,本轮融资由中科创星领投,天汇资本和张家港智慧创投跟投。资金将用于产能扩建与设备研发。
安储科技成立于2020年,专注于先进电子材料研发、生产和销售,主营产品为配方型功能电子化学品(如抛光液、清洗液, 湿法刻蚀液, 光刻胶剥离液等)以及电子特气安全存储负压钢瓶两大产品系列。在硅基制程CMP后清洗方面,安储科技开发了一系列清洗产品;在碳化硅衬底抛光清洗上,安储科技拥有抛光液、抛光后晶圆清洗液、抛光后机台抛光垫清洗液全工艺环节耗材产品。
11. 盈鑫半导体 天使轮
3月29日,盈鑫半导体完成天使轮融资,东莞科创金融集团管理的松山湖天使基金投资。本轮融资有助于盈鑫半导体加速核心原材料自产进度,实现半导体抛光研磨材料的进口替代。
据悉,盈鑫半导体成立于2021年6月,是一家集研发、制造和销售为一体的综合型 CMP 制程材料供应商,聚焦于泛半导体领域的卡脖子材料的国产替代。公司主要产品有无蜡吸附垫、抛光研磨垫等,广泛应用于第一、二、三代半导体、蓝宝石和消费电子行业。
盈鑫半导体从事研磨抛光行业近二十年,具备丰富的研发资源、产品经验和市场资源,具备敏锐的战略研判能力,率先布局第三代半导体抛光研磨材料,配合行业龙头企业工艺调试期间,同步开发 SiC 衬底和 GaN 外延 CMP 制程所需的吸附垫、抛光垫产品,率先实现国产化,占据先发优势。同时,公司积极推进核心原材料的生产工作,实现自主可控,进一步加强全链路品质管控。
本文参考资料来源于企查查、天眼查、企业官微官网、投资机构等网络公开信息,仅供大家参考,欢迎留言或加群补充指正。为加快产业上下游企业交流,艾邦建有IGBT/SiC产业链交流,目前已有比亚迪、英飞凌、中车、斯达、士兰微、芯联集成、华为、扬杰、安世半导体、芯能半导体、华虹宏力、华润微电子、三安半导体、晶越半导体、西安卫光、博敏电子、华清电子等IGBT/SiC功率半导体产业链上下游企业加入,欢迎识别二维码加入产业链微信群及通讯录。
推荐活动1:2024年半导体陶瓷产业论坛(2024年4月12日·泉州)
一、会议议程
时间安排 |
主题 |
演讲嘉宾 |
开幕式 |
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08:45-09:00 |
开场致辞 |
艾邦创始人 江耀贵 |
09:00-09:15 |
领导致辞 |
晋江市委副书记、市人民政府市长 王明元 |
09:15-09:30 |
嘉宾致辞 |
中国工程院院士 清华大学材料科学与工程系教授博导 周济 |
主题报告 |
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09:30-10:00 |
半导体设备中陶瓷零部件的应用现状与前景 |
清华大学新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室 潘伟 教授 |
10:00-10:30 |
氮化铝陶瓷在半导体领域中最新应用进展 |
华清电子 副总经理 向其军 博士 |
10:30-11:00 |
茶歇 |
|
11:00-11:30 |
先进陶瓷材料自主实验技术与智能化研发平台 |
北京科技大学 教授 白洋 |
11:30-12:00 |
超声辅助加工在半导体精密陶瓷结构件上的应用 |
极智超声 总经理 乔家平博士 |
12:00-12:30 |
高性能氮化铝和氧化铝粉体连续式生产关键工艺技术 |
中铝新材料 氮化物事业部经理 吴春正 |
12:30-14:00 |
午餐 |
|
14:00-14:30 |
第三代功率半导体封装用AMB陶瓷覆铜基板的研究与进展 |
北京科技大学 教授 杨会生 |
14:30-15:00 |
高性能陶瓷基板产业化需要突破的关键技术 |
南京航天航空大学 教授 傅仁利 |
15:00-15:30 |
科浩热能原位排胶烧结一体化大气烧结炉在半导体陶瓷产业烧成中的应用 |
科浩热能 刘培新 总经理 |
15:30-16:00 |
茶歇 |
|
16:00-16:30 |
高导热氮化硅材料的研究与应用进展 |
中材高新氮化物陶瓷有限公司北京分公司 研发中心主任 李镔 |
16:30-17:00 |
多层共烧陶瓷装备的新领域新应用 |
中电科二所 马世杰 高级工程师 |
17:00-17:30 |
真空吸盘在集成电路关键装备中的应用以及发展方向 |
三磨所 精密特材事业部部长 宋运运 |
17:30-18:00 |
半导体领域用碳化硅陶瓷部分产品的开发与生产技术研究 |
北方高科 研发部工程师 黄凯 |
18:00-20:00 |
晚宴 |
展台、会刊单页、资料入袋等赞助请联系李小姐:18124643204(同微信)
二、报名方式
推荐活动2:碳化硅半导体加工技术创新产业论坛(苏州·7月4日)
推荐活动3:第三届功率半导体 IGBT/SiC 产业论坛(苏州·7月5日)
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