随着人工智能（AI）处理器对功率的要求日益提高，服务器电源（PSU）必须在不超出服务器机架规定尺寸的情况下提供更高的功率，这主要是因为高级GPU的能源需求激增。到本十年末，每颗高级GPU芯片的能耗可能达到2千瓦或以上。这些需求以及更高要求的应用和相关特定客户需求的出现，促使英飞凌科技股份公司开发电压650 V以下的SiC MOSFET产品。现在，英飞凌基于今年早些时候发布的第二代（G2）CoolSiC™技术，推出全新CoolSiC™ MOSFET 400 V系列。全新MOSFET产品组合专为AI服务器的AC/DC级开发，是对英飞凌最近公布的PSU路线图的补充。该系列器件还适用于太阳能和储能系统（ESS）、变频电机控制、工业和辅助电源（SMPS）以及住宅建筑固态断路器。
CoolSiC™ MOSFET 400 V TO-Leadless
与现有的650 V SiC和Si MOSFET相比，新系列具有超低的传导和开关损耗。这款AI服务器电源装置的AC/DC级采用多级PFC，功率密度达到100 W/in³以上，并且效率达到99.5%，较使用650 V SiC MOSFET的解决方案提高了0.3个百分点。此外，由于在DC/DC级采用了CoolGaN™ 晶体管，其系统解决方案得以完善。通过这一高性能MOSFET与晶体管组合，该电源可提供8千瓦以上的功率，功率密度较现有解决方案提高了3倍以上。
全新MOSFET产品组合共包含10款产品：5款RDS(on) 级（11至45 mΩ）产品采用开尔文源TOLL和 D²PAK-7 封装以及.XT 封装互连技术。在Tvj = 25°C 时，其漏极-源极击穿电压为400 V，因此非常适合用于2级和3级转换器以及同步整流。这些元件在苛刻的开关条件下具有很高的稳健性，并且通过了100%的雪崩测试。高度稳健的CoolSiC™ 技术与.XT互连技术相结合，使这些半导体器件能够应对AI处理器功率要求突变所造成的功率峰值和瞬态，并且凭借连接技术和低正 RDS(on) 温度系数，即便在结温较高的工作条件下也能发挥出色的性能。
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原文始发于微信公众号（英飞凌官微）：英飞凌推出CoolSiC™ MOSFET 400 V，重新定义AI服务器电源的功率密度和效率