信越化学工业株式会社成功开发了一种专用于氮化镓（GaN）生长的300毫米（12英寸）QST™衬底，并开始提供样品。信越化学此前已销售150毫米和200毫米的QST™衬底及其相关的GaN外延片，但由于客户需求，他们成功扩大到300毫米。
GaN材料可以在现有的硅生产线上使用，理论上可以通过增加衬底尺寸来降低生产成本，但大尺寸衬底容易出现翘曲和裂纹的问题，影响了生产效率。新开发的300毫米QST™衬底能够实现无翘曲和无裂纹的厚膜GaN外延生长，大幅降低了设备成本。信越化学计划进一步量产300毫米衬底，以加速GaN设备的普及，促进可持续社会的发展。