“ 下一代碳化硅功率器件驱动电动汽车400V和800V架构创新
9月4日，纳微半导体（纳斯达克股票代码：NVTS）今日发布了符合车规认证的D2PAK-7L (TO-263-7)和标贴TOLL封装的第三代快速碳化硅MOSFETs。
纳微半导体专有的“沟槽辅助平面栅”技术可为碳化硅MOSFETs带来全球领先的性能，助力电动汽车客户打造高速、低温升的充电、牵引电机和DC-DC转换器。与同类型传统器件相比，第三代快速碳化硅的外壳温度低25℃，使用寿命延长了3倍，完美匹配严苛的电动汽车运行环境。
第三代快速碳化硅MOSFETs经过优化，为电动汽车应用（如空调压缩机、座舱加热器、DC-DC转换器和OBC车载充电机）带来最快的开关速度、最高的效率，并实现功率密度的增进。纳微位于上海的电动汽车设计中心打造了一款高达22kW的前沿OBC系统解决方案，功率密度达到3.5kW/L，效率超过95.5%。
纳微全新的650V第三代快速碳化硅MOSFETs的RDS(ON)为20到55mΩ，可应用于额定电压为400V的电动汽车电池架构。另一款1200V产品的RDS(ON)为18到135mΩ，可用于800V架构中。
采用传统SMT D2PAK-7L (TO-263-7)封装的650V和1200V及TOLL封装的650V第三代快速碳化硅MOSFETs均已通过AEC Q101车规认证。对于400V的架构，额定电压为650V的表贴TOLL封装产品相较于D2PAK-7L封装版可降低9%的结壳热阻（RTH,J-C），PCB占位面积小30%，厚度降低50%，尺寸小60%，这使得打造极高功率密度的解决方案成为可能，同时仅有2nH的最小封装电感确保了卓越的快速开关性能和最低的动态封装损耗。
第三代车规级650V和1200V第三代快速碳化硅 MOSFET系列产品现已发售，并提供D2PAK-7L和表贴TOLL两种封装形式。
原文始发于微信公众号（纳微芯球）：纳微第三代快速碳化硅获AEC Q101车规认证