天岳先进P型碳化硅衬底，高压电网的革新引擎

近日，天岳先进向客户成功交付高质量低阻P型碳化硅衬底，标志着向以智能电网为代表的更高电压领域迈进了一步。高质量低阻P型碳化硅衬底将极大加速高性能SiC-IGBT的发展进程，实现高端特高压功率器件国产化。

针对高压大功率电力电子器件用P型碳化硅单晶衬底存在的成本高、电阻率高、缺陷控制难度大等技术难题，天岳先进深化布局前瞻性技术，在备受关注的液相法领域，继2023年公布了全球首个8英寸碳化硅晶体后再次取得了重大突破，于2024年推出了采用液相法制备的4度偏角P型碳化硅衬底。

液相法具有生长高品质晶体的优势，在长晶原理上决定了可以生长超高品质的碳化硅晶体。天岳先进布局液相法多年，目前在该领域获得了低贯穿位错和零层错的碳化硅晶体。通过液相法制备的P型4度偏角碳化硅衬底，电阻率小于200mΩ·cm，面内电阻率分布均匀，结晶性良好。

天岳先进n型产品市占率全球第二，高纯半绝缘型碳化硅衬底产品连续五年全球市占率排名第三。2023年，公司与英飞凌、博世等下游功率器件、汽车电子领域知名企业签署了长期合作协议。导电型n型碳化硅衬底产品在大功率功率器件上优势明显，在电动汽车领域具有卓越优势。天岳先进的车规级产品获得了国际客户的认可，实现了6英寸和8英寸碳化硅导电型衬底产品批量销售。高纯半绝缘碳化硅衬底产品，为高频高输出的射频器件提供材料品质基础，适用于5G基站射频器件，卫星通信等应用。