2024年11月13日,JX金属株式会社的关联公司TANIOBIS GmbH在其位于德国哥斯拉的基地引入了可进行下一代半导体用CVD(化学气相沉积)・ALD原子层沉积)前驱体材料开发与生产的设备,并已正式投入运营。

随着先进半导体需求的增加,特别是对用于生成极薄膜和微细线路的高纯度CVD和ALD前驱体材料的需求不断上升。因此,TANIOBIS公司正在扩展其高纯度金属化合物的产品组合,以确保满足市场需求的稳定供应。该公司还计划通过提高现有设备的生产能力来增强供应能力和业务的持续性。

JX金属集团将半导体用CVD和ALD前驱体材料作为未来收益的重要支柱,并在多个地点进行生产和开发设备的投资,以扩展产品线。今年6月,JX金属集团决定在东邦钛业株式会社茅崎工厂的场地以及公司日立事业所白银地区进行生产设备和开发设备的投资,此次设备增设将进一步扩展产品线。此外,我们还将利用本公司在溅射靶材业务等领域积累的半导体领域广泛的知识和网络,推动集团整体CVD・ALD前驱体材料业务的扩展。

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作者 gan, lanjie