2024年11月12日，北京天科合达半导体股份有限公司（以下简称“天科合达”）“第三代半导体碳化硅衬底产业化基地建设二期项目”开工仪式在北京顺利举行。天科合达总经理杨建、天科合达常务副总经理彭同华等公司领导出席开工仪式。
天科合达积极把握行业发展先机，加大布局优势产能，成功启动了二期扩产项目。该扩产项目旨在打造行业内领先的智能化生产线，量产8英寸碳化硅衬底。该项目全面投产后，公司的产能将得到显著提升，进一步巩固其在碳化硅衬底市场的领先地位。
杨建总经理在致辞中表示：
“公司核心产品为6-8英寸碳化硅衬底，技术参数指标与国际龙头企业相当，产品质量达到国际领先水平，已向国内外多家企业及科研机构批量供应，为国产碳化硅材料在功率器件、微波射频器件等领域的应用奠定了基础。同时，公司的产品畅销至日本及欧美在内的20多个国家和地区，是国内少数能够进入国际知名企业的高端技术产品。”
在国家积极推进半导体行业进步的大环境下，天科合达迅速响应国家战略需求，专注于第三代半导体材料的创新研发及量产工作。随着北京二期项目的启动，标志着天科合达开启了崭新的发展篇章，同时为区域经济的蓬勃发展注入了新的动力。该项目不仅将推动公司在碳化硅衬底材料领域的技术进步和产能扩张，也能通过优化生产流程和提高效率，有效降低成本。
原文始发于微信公众号（天科合达招聘）：【天科新闻】谋新篇 启新程 | 天科合达北京二期项目正式开工！
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