一、氧化铍(BeO)
BeO晶体结构 图源自网络
二、氧化铝(Al2O3)
三、氮化铝(AlN)
AlN粉体 图源自网络
AlN是一种具有纤锌矿结构的Ⅲ-Ⅴ族化合物，其单元晶胞为AlN4四面体，属于六方晶系，具有很强的共价键，因而其机械性能优良、抗弯强度较高。理论上其晶体密度为3.2611g/cm3，因而具有高导热性能，纯净的AlN晶体室温热导率高达320W/(m·k)，热压烧制的AlN基片热导率可达150W/(m·K)，为Al2O3的5倍以上，热膨胀系数为3.8×10－6～4.4×10－6/℃，与Si、SiC和GaAs等半导体芯片材料热膨胀系数匹配良好。
四、氮化硅(Si3N4)
五、碳化硅(SiC)
单晶SiC以第三代半导体材料而被大家熟知，其具有禁带宽度大、击穿电压高、热导率高以及电子饱和速度高等优点。
通过在SiC中添加少量的BeO和B2O3来增加其电阻率，再添加相应的烧结助剂在1900℃以上的温度中使用热压烧结，即可制备出致密度达98%以上的SiC陶瓷。采用不同的烧结方法、烧结助剂制备出的不同纯度的SiC陶瓷，其室温下热导率为100～490W/(m·K)。由于SiC陶瓷的介电常数非常大，因而其只适合低频应用，并不适合高频应用。
参考文献：
1、陆琪， 刘英坤， 乔志壮等. 陶瓷基板研究现状及新进展
2、刘雄章，郭冉，李青达等．高热导率氮化硅散热基板材料的研究进展；
3、刘佳佳，刘英坤，谭永亮．SiC 电力电子器件研究现状及新进展
4、郑锐， 席生岐， 周敬恩． AlN 低温烧结助剂的研究现状
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原文始发于微信公众号（艾邦陶瓷展）：集成化时代，陶瓷基板材料谁会更受青睐
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