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2025 年3月19日 - 英诺赛科（苏州）科技股份有限公司（香港联交所代码：2577）是一家致力于高性能、低成本的硅基氮化镓（GaN-on-Si）芯片制造及电源解决方案企业。今日，英诺赛科宣布其在与美国宜普公司（Efficient power Conversion Corporation，EPC）发起的专利侵权案中取得决定性胜利：2025 年 3 月 18 日,美国专利局（USPTO）对EPC涉案专利 (US’294号专利) 作出最终裁定，判决该专利所有权利要求均无效且应被撤销。这一判决从根本上否定了EPC针对英诺赛科的指控基础，标志着英诺赛科在EPC发起的这场长达两年的专利战中取得了完全胜利。
2023年5月，EPC在ITC对英诺赛科发起专利侵权诉讼调查，宣称英诺赛科侵犯了EPC的US’294号专利和其他三项美国专利。其后，EPC主动撤诉其中两项专利。ITC最终裁定第三项专利没有侵权。对于US’294号专利，ITC裁定部分权利要求有效且被侵权。
英诺赛科坚决反对ITC有关US’294号专利有效及侵权的裁决，并且已于2025年1月31日向美国联邦上诉法院提起上诉。英诺赛科认为ITC 关于US’294号专利的判决有误，应予以推翻。
现在，美国专利局（USPTO）关于US’294号专利的无效裁定证实了ITC先前对该专利的判决存在错误判断，也确定了 EPC 对英诺赛科的指控并无根据，属恶意竞争行为。USPTO在其最终裁决中指出EPC的US’294号专利所有权利要求均无效，因为它们仅仅是重复氮化镓（"GaN"）领域的现有且被广泛使用的通用技术。
美国专利局的无效判决标志着英诺赛科在此次与EPC的专利侵权案中取得了终极胜利。随着和EPC的法律争端尘埃落定，英诺赛科会将全部精力集中到为全球客户开发和提供一流的基于GaN的电源解决方案中，为绿色高效新世界贡献自己的力量。
英诺赛科是全球领先的第三代半导体高新技术企业，致力于硅基氮化镓 (GaN-on-Si) 的研发与制造。公司拥有全球最大规模的8英寸硅基氮化镓晶圆生产基地，产品设计及性能处于国际先进水平。公司氮化镓产品用于各种低中高压应用场景，产品研发范围覆盖15V至1200V，涵盖晶圆、分立器件、IC、模组，并为客户提供全氮化镓解决方案。成立至今，英诺赛科拥有近700项专利及专利申请，产品可广泛应用于消费电子、可再生能源及工业应用、汽车电子及数据中心等前沿领域。
英诺赛科，引领氮化镓革命，赋能未来！
