近期，中国科学院上海光学精密机械研究所精密光学制造与检测中心实验室在飞秒激光抛光反应烧结碳化硅（RB-SiC）研究中取得新进展。研究发现根据RB-SiC中Si相和SiC相烧蚀阈值的差异，能够实现飞秒激光选择性去除表面凸起的不规则分布的Si层，有效快速的降低表面粗糙度，获得高质量表面，与传统的金刚石磨粒抛光相比能够有效提高抛光效率。该研究成果拓展了RB-SiC的抛光方法，并且为复相材料的飞秒激光加工提供了一种新的思路。相关成果以“Femtosecond laser-selective polishing of RB-SiC at a fluence between its two-phase threshold”为题发表在Optical Materials Express（《光学材料快讯》）上。
原文始发于微信公众号（中科院上海光机所）：上海光机所在飞秒激光抛光反应烧结碳化硅研究中取得新进展
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