A*STAR微电子研究所与Soitec合作开发下一代碳化硅半导体

2022 年 1 月 10 日——科学、技术和研究机构 (A * STAR) 的微电子研究所 (IME) 和 Soitec（巴黎泛欧交易所）宣布开展研究合作，合作开发下一代碳化硅 (SiC) 半导体器件，为电动汽车和先进的高压电子设备提供动力。双方将利用 Soitec 的专有技术，如 Smart Cut ™ 和 IME 的中试生产线来制造 200 毫米直径的 SiC 半导体。

联合研究将有助于开发一个整体的 SiC 生态系统，并提高新加坡和该地区的半导体制造能力。研究合作计划持续到2024 年年中，合作期间内旨在实现以下成果：

• 开发适合于 Smart Cut ™ SiC 的场效应晶体管 (MOSFET) 制造工艺的 SiC 外延和金属氧化物，以生产具有更少缺陷、更高质量的微芯片基板，并提高制造过程中的良率。
  

• 为在 Smart Cut ™ SiC 上适当烧结的 SiC 功率 MOSFET 器件建立基准，并展示了传统基板工艺的优势
  

Soitec 首席技术官兼高级执行副总裁 Christophe Maleville 表示："这是我们与新加坡微电子研究所合作并展示 SmartSiC 衬底可扩展到 200mm 的绝佳机会。鉴于这种材料巨大的潜力，此次合作为开发先进的外延解决方案以生产具有节能特性的更高质量的 SiC 晶圆铺平了道路。作为这一新工艺的主要受益者，新加坡的基板生态系统将有机会验证通过我们的合作生产的 SiC 晶圆的卓越能效。"

Soitec 是设计和制造创新半导体材料的全球领导者，总部位于法国。该公司的产品用于制造用于智能手机、平板电脑、计算机、IT 服务器和数据中心的芯片以及汽车、连接设备中的电子元件，以及工业和医疗设备。

A * STAR的IME在异构集成、系统级封装、传感器、执行器和微系统、射频和毫米波、SiC / GaN-on-SiC电力电子和MedTech方面具有能力。其正在建立的 8 英寸 SiC中试线旨在向 8 英寸大批量制造过渡之前，在试生产线上验证 8 英寸制造工艺和工具。该计划的双重目的是对创新的 SiC MOSFET 工艺和材料（如Soitec 的 Smart Cut ™ SiC 基板）进行应用研发，为行业为下一代 SiC 制造做好准备。