云潼科技有限公司（以下简称“公司”）于2018年开始专注于车规级IGBT和MOSFET国产化替代和车规级功率半导体的研发。
近日公司自主设计研发的车用750V平台IGBT芯片已优化升级！
公司与国内知名晶圆代工厂紧密合作，开发出性能更加优越的8英寸750V150A IGBT芯片，全面支持450V以下电压平台的新能源汽车应用。
该芯片采用业界最先进的沟槽栅场终止（trench FS）技术，结合载流子存储技术和超薄片工艺技术，获得了极低的导通压降和开关损耗。
通过优化芯片结构和工艺，使器件各参数得到了良好的折中，综合性能达到业界领先水平，并且通过了一系列车规级的测试和可靠性实验验证，可用于新能源汽车电机驱动等领域。
原文始发于微信公众号（重庆云潼科技有限公司）：云潼科技自研IGBT芯片已优化升级，各项参数达到业界领先水平！
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