绝缘栅双极晶体管（IGBT）是一种通过与MOSFET相同的方式控制栅极和发射极之间的电压，接通和关断集电极和发射极之间电源的器件。IGBT的常见结构包括：
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穿通型（PT）；
（a）PT IGBT
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非穿通型（NPT）；
（b）NPT IGBT（NPT：非穿通型）
（c）薄晶圆穿通型，亦称为场截止型（FS）。
（c）薄型PT IGBT（FS-IGBT）
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反向导通IGBT（RC-IGBT）是IGBT家族的最新成员；
（d）RC-IGBT
其中，FS IGBT的集电极P区的一部分被N区所取代，并且续流二极管像MOSFET一样集成。下表显示了各代IGBT及其结构。
PT IGBT：自从IGBT问世以来，一直使用PT结构。集电极侧的P层很厚，低电流区的正向电压很高。
NPT IGBT：PT IGBT之后出现了NPT IGBT。NPN IGBT具有很强的耐久性，可用于硬开关和其它逆变器应用
薄型PT IGBT：薄型PT是最新的IGBT结构之一，使用薄晶圆技术来改善正向电压降和开关速度之间的平衡性。凭借由于低损耗，薄型PT IGBT被广泛使用。
RC-IGBT：RC-IGBT使用最新的薄晶圆技术，并集成了一个快速恢复二极管（FRD）。RC-IGBT可用于电压谐振和其它应用。
来源：东芝电子元件
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