昭和电工是第一家开始出货用于 SiC(碳化硅)功率半导体的 200 mm(8 英寸)尺寸 SiC 外延片样品的日本制造商。该产品使用了该公司的SiC 单晶基板(SiC 晶片)。
图 SiC 外延片
与使用硅晶片的传统功率半导体相比,SiC功率半导体产生的功率损耗和热量更少,作为有助于节能的器件,在电动汽车和可再生能源方面的市场正在迅速扩大。与SiC功率半导体性能密切相关的SiC外延片要求缺陷少、质量稳定。 目前,碳化硅功率半导体主要使用150毫米(6英寸)碳化硅外延片生产。随着 SiC 外延片直径的增加,单片晶圆可以获得更多的芯片,有望为器件制造商提高生产率并降低成本。
在这些市场需求的背景下,昭和电工将从2021年开始全面开发200mm晶圆,并开始使用的200mm SiC晶片进行SiC外延片的样品出货。昭和电工已经在 SiC 外延片领域拥有世界第一的市场份额。这次,除了从合作公司采购SiC晶片外,昭和电工还将致力于使用自己的晶片进行产品开发,旨在扩大200mm SiC外延片的生产,建立稳定的供应体系,进一步提高质量。
此外,昭和电工将以到2030年将SiC外延片及其原材料SiC晶片尺寸减小到200mm,缺陷密度降低一位数以上为目标,进行下一代绿色功率半导体的碳化硅晶片技术开发。
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