8月，钱塘科技创新中心自主完成了高导热金刚石复合晶圆的可控制备。
中心科研团队大胆创新，采用分阶段机械减薄工艺，初步实现高导热金刚石复合晶圆可靠薄化，极大降低功率器件内部热阻、导通阻抗以及导通损。
▲超薄Si基金刚石复合晶圆
▲金刚石薄膜SEM形貌图和拉曼光谱图
高导热金刚石复合晶圆作为芯片热管理领域关键材料，能够在“高热”大功率芯片中实现近乎完美的热耗散，解决目前高功率芯片“自热效应”热瓶颈问题，将推动第三代半导体高功率器件高速发展和广泛应用。
原文始发于微信公众号（杭州钱塘科学城）：创新喜报！钱塘科创中心自主完成高导热金刚石复合晶圆可控制备
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