01

驱动电路与 IGBT 的连线要尽量短

驱动电路与IGBT的连线要尽量短,IGBT与 MOSFET 都是电压驱动,都具有一个2.5V~ 5V 的阈值电 压,有一个容性输入阻抗,因此 IGBT 对栅极电荷非常敏感故驱 动电路必须很可靠,要保证有一条低阻抗值的放电回路。

02

内阻小的驱动源

用内阻小的驱动源对栅极电容充放电,以保证栅极控制电压 Uge, 有足够陡的前后沿,使IGBT 的开关损 耗尽量小。另外, IGBT 开通后,栅极驱动源应能提供足够的功率,维持Uge 的恒定。

03

驱动电平+Uge

驱动电平+Uge 必须综合考虑 Uge增大时,IGBT 通态压降和开通损耗均下降,但负载短路时的 Ic增大,IGBT能承受短路电流的时间减小,对其安全不利,因此 在有短路过程的设备中 Uge 应选得小些,一般选 12~15V。

04

负偏压Uge也有限制

负偏压Uge也有限制在关断过程中,为尽快抽取 PNP管的存储电荷,须施加一负偏压 Uge,但它受IGBT的G 、E间最大反向耐压限制,一般取–1V~- 15V。

05

门极电阻 Rg 需综合考虑

门极电阻Rg需综合考虑门极电阻Rg增加,将使 IGBT 的开通与关断时间增加;因而使 开通与关断能耗均增加。而门极电阻减少,则又使 diC /dt 增大,可能引发 IGBT 擎住效应, 同时 Rg 上的损耗也有所增加。为了减小diC /dt且不影响向 IGBT 的开关损耗,往往在门极与射极之间并一电容Cge。

06

栅极驱动电路

IGBT 的栅极驱动电路应尽可能简单实用,抗干扰能力强。

 

原文始发于微信公众号(青岛佳恩半导体有限公司):IGBT驱动设计中需考虑的问题

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作者 gan, lanjie