1月26日，东芝电子元件及存储装置株式会社宣布推出两款全新碳化硅（SiC）MOSFET双模块---"MG600Q2YMS3"和 "MG400V2YMS3"：前者额定电压为1200V，额定漏极电流为600A；后者额定电压为1700V，额定漏极电流为400A。作为东芝首批具有上述额定电压的产品，它们与之前发布的MG800FXF2YMS3共同组成了1200V、1700V和3300V器件产品线。
这两种新模块在安装方式上兼容广泛使用的硅（Si）IGBT模块。两种新模块的低损耗特性满足了工业设备对提高效率、减小尺寸的需求，例如用于轨道车辆的转换器和逆变器以及可再生能源发电系统。
这两种新模块可应用于轨道车辆的逆变器和转换器、可再生能源发电系统、电机控制设备、高频DC-DC转换器等。
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