盛美上海为Ultra C pr设备新添金属剥离工艺, 以支持功率半导体制造和晶圆级封装应用
盛美上海为Ultra C pr设备新添金属剥离工艺, 以支持功率半导体制造和晶圆级封装应用

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首套系统由中国功率半导体制造商验证

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盛美半导体设备(上海)股份有限公司(以下简称“盛美上海”)(科创板股票代码:688082),作为一家为半导体前道和先进晶圆级封装应用提供晶圆工艺解决方案的领先供应商,今宣布其为Ultra C pr设备拓展了金属剥离(MLO)应用,以支持功率半导体制造和晶圆级封装(WLP)应用。MLO工艺是一种形成晶圆表面图案化的方法,省去了蚀刻工艺步骤,可降低成本,缩短工艺流程,并减少高温化学品用量。公司还宣布,首款支持MLO的设备已经通过验证,并被中国一家功率半导体制造商投入量产。

产品介绍

Ultra C pr

盛美上海为Ultra C pr设备新添金属剥离工艺, 以支持功率半导体制造和晶圆级封装应用

新增金属剥离(MLO)技术,支持功率半导体制造以及晶圆级封装。

盛美上海董事长王晖博士表示

“我们致力于加强公司多元化产品的构建,并继续抓住机会拓展除清洗以外的应用领域。我们的Ultra C pr设备光刻胶剥离工艺已获客户广泛认可,基于此工艺,现又进一步拓展了在MLO工艺中的应用,能够使光刻胶外金属层更易剥除,并去除其他多余的金属或残留物。我们很高兴,首套应用于MLO工艺的Ultra C pr设备能成功交付,并在大生产线上验证成功。”

MLO应用

盛美上海的Ultra C pr设备将槽式去胶浸泡模块与单片清洗腔体串联起来依序使用,在去胶的同时进行金属剥离工艺。该设备将不同单片清洗腔分别配置去胶功能和清洗功能,并优化了腔体的结构,使之易于拆卸、清洗、维护,解决了金属剥离工艺中残留物累积的问题。该工艺也可选配盛美自研的SAPS兆声波清洗技术,以进一步提高晶圆清洁效果。

关于盛美上海

盛美上海从事对先进集成电路制造与先进晶圆级封装制造行业至关重要的单片晶圆及槽式湿法清洗设备、电镀设备、无应力抛光设备和立式炉管设备的研发、生产和销售,并致力于向半导体制造商提供定制化、高性能、低消耗的工艺解决方案,来提升他们多个步骤的生产效率和产品良率。

原文始发于微信公众号(盛美上海):盛美上海为Ultra C pr设备新添金属剥离工艺, 以支持功率半导体制造和晶圆级封装应用

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作者 gan, lanjie

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