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厦门云天Fine Pitch光刻工艺突破2um L/S
厦门云天半导体继九月初8&12吋 “晶圆级封装与无源器件生产线”正式通线后，经过团队的不懈努力， 8英寸晶圆Fine Pitch光刻工艺开发终破2/2um L/S大关；
以下为部分工艺条件及成果展示：
胶厚均匀性 3.4%
CD开口均匀性 3%
在Test Vehicle光罩下，测试了长线条&短线条，结果不论是在正性光阻还是负性光阻下， 2um的L/S下的线条都是完整而清晰的，而且没有任何显影不洁或过显的外观异常；
2um 短线条（光刻后）
2um长线条-负胶（光刻后）
2um长线条-正胶（光刻后）
SEM切片效果图如下，胶厚：3.308um，CD上开口：2.272um，CD下开口：1.716um，侧壁垂直度约85.2°；
2um孔径SEM
2um长线条经过电镀及种子层刻蚀后，线宽及线距均在工艺管控范围内，未出现线路Peeling及断短路等外观异常；
2um长线条-负胶（电镀后）
2um长线条-负胶（PVD刻蚀后）
厦门云天半导体目前量产化最小L/S为10/10um，工程样品能力最小L/S为7/7um，2/2um的L/S工艺的成功开发是二期通线后的一次重大突破。目前2/2um的L/S工艺还需进一步的开拓验证，为后续量产化的导入做足准备。厦门云天半导体将持续追求“创新、卓越、合作、奋斗”的精神，不断挑战极限、勇攀高峰！
原文始发于微信公众号（云天半导体）：厦门云天Fine Pitch光刻工艺突破2um L/S
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