图1. MOSFET简单驱动电路
MOSFET结电容包括栅极与源极之间的结电容Cgs、栅极与漏极之间的结电容Cgd，以及漏极与源极之间的结电容Cds。实际应用中，通常需要把结电容组合起来考虑。因此，为了更直观查找数据，规格书中通常按以下方式对结电容进行展示：
Input Capacitance：Ciss=Cgs+Cgd，
Output Capacitance：Coss=Cgd+Cds
Reverse Transfer Capacitance：Crss=Cgd
图2. MOSFET结电容等效模型
开通过程中，驱动电压维持高电平Vdr，可以等效为一个直流恒压源。Vdr经过驱动电阻Rg，元件内部Rg(in)，给输入电容Ciss充电。
从t0时刻开始，
其中，
Vgs(t)上升到t1时刻，达到阈值电压Vgs(th)，MOSFET开始导通，电流开始增加。t2时刻，Vgs(t)上升到米勒平台Vplat，电流达到设置电流Id。其中，米勒平台可以根据以下公式计算出来：
电流上升的时间为t2-t1：
米勒平台区域（t2-t3时刻），Vgs(t)维持在稳定，Vds开始下降，直至达到正常导通电压Vds(on)。此阶段，主要由电容Crss决定。
由于Crss随着Vds变化，直接取一点的Crss进行计算可能会有较大偏差，此时也可以使用Qgd计算电压下降时间。
因此，开通损耗Eon为：
同理，在关断过程中，外部驱动电压为0，可以等效为结电容Ciss通过驱动电阻Rg和内部Rg(in)进行放电。
t6-t7时刻为电压上升时间：
t7-t8时刻为电流下降时间：
关断损耗为：
综合上面的计算，单个脉冲时开关损耗为：Etst=Eon+Eoff。
图3. MOSFET开通和关断过程
但是，很多人会发现，用上述的公式计算出来的开关损耗与实际差异很大，原因在哪里呢？
首先，上述公式并未考虑电容Coss的影响。在开通过程中，Vds电压下降，由于电容Coss电压不能突变，会使得Vds下降速度变慢；此外，Coss放电使得流经MOSFET沟道的电流Id变大，从而使得开通损耗Eon也变大。在关断过程中，Vds电压上升，Coss分摊掉部分Id，但是由于Vds也变得平缓，关断损耗Eoff的变化需根据实际情况判断。
图4. 考虑Coss的MOSFET开关过程
其次，MOSFET各个引脚还包含nH级别的杂散电感，该杂散电感不仅会引起Vds应力过高、驱动震荡等问题，还是会影响开关速度的，尤其是对电流变化率di/dt的影响。
图5. 考虑杂散电感的MOSFET模型
图6. 考虑杂散电感的MOSFET开关过程
在开通过程中，在t1-t2时间段内，沟道电流Id电流上升，源级杂散电感上形成上正下负电压，抵消部分驱动电压Vdr的作用，给电容Ciss充电速度变慢，电流上升速度也就变慢，开通损耗Eon变大。在关断过程中，在t7-t8时间段内，沟道电流Id下降，源级杂散电感上形成上负下正电压，加速Ciss上电荷泄放，关断速度加快，关断损耗Eoff变小。
如果同时考虑输出电容Coss和杂散电感的影响，那么实际波形将复杂得多，用数学公式精确计算开关损耗比较困难。此外，每个系统的电路都有各自的耦合参数，建议在待测电路板上直接进行双脉冲测试，从而得到真实可靠的开关损耗数据。