乾创资本于2022年12月份完成了对碳化硅（SiC）外延片企业全球领跑者-广东天域半导体股份有限公司（以下简称“天域半导体”）的投资。本轮投资总规模约12亿人民币，得到了政府背景基金、老股东及产业资本、财务机构的多方参与。充分凸显了企业的投资价值，标志性投资方包括政府背景基金中国比利时基金、广东粤科投、南昌产业投资集团、锂电铜箔科创板上市公司嘉元科技；财务投资机构招商资本、乾创资本等。天域半导体的本轮融资将继续用于增加碳化硅外延产线的扩产以及持续加大碳化硅大尺寸外延生长研发投入。
2022年，天域半导体相继完成了战略投资者和财务投资者的引入工作，成为我国目前唯一一家同时获得各领域头部企业战略投资的碳化硅产业链企业。获得产业头部企业比亚迪、上汽、宁德时代、海尔旗下产业资本的投资认可。
在我国的碳中和发展战略的大趋势背景下，碳化硅材料器件越来越广泛地在新能源汽车、光伏及充电基础设施、轨道交通、智能电网、储能、5G通讯基站等领域展开应用，需求迎来爆发式增长，而中国半导体产业国产化替代进程也给在这细分赛道深耕并逐渐崛起的国产企业带来巨大发展机遇。
广东天域半导体股份有限公司成立于2009年，是我国成立最早的第三代半导体企业之一，也是国内第一家获得汽车质量认证(IATF 16949)的碳化硅半导体材料供应链的企业。公司坚持自主科技创新的发展理念，经过十余年的碳化硅外延技术、工艺的深厚积累，天域半导体已发展成为我国碳化硅外延片的主要供应商，公司凭着先进的外延炉设备、外延技术和最先进的测试和表征能力，在产品技术参数、客户器件良率等方面达到国际领先水平。是我国碳化硅外延领域少数具备国际竞争力的企业之一。目前，天域半导体在中国拥有最多的碳化硅外延炉-CVD，公司的竞争实力和行业地位，得到了华为、上汽、比亚迪等下游电动汽车、储能、家电、光伏等头部客户的高度认可。
天域半导体为国内最早实现6英寸外延晶片量产，20 kV级以上的厚外延生长实现，缓变结、陡变结等n/p型界面控制技术，多层连续外延生长技术的企业。与此同时，公司也已提前布局国内8英寸SiC外延晶片工艺线的建设，正积极突破研发8英寸SiC工艺关键技术。
随着我国碳化硅外延片的市场需求激增，天域半导体凭借领先的技术、产能规模及良好的产业生态护城河，成为行业发展中的受益者。
2023年1月19日，中信证券发布了关于天域半导体首次公开发行股票并上市辅导备案报告，并在当日与天域股份签署了上市辅导协议。
乾创资本投资团队认为：“碳化硅功率器件所具有的耐高温、耐高压、低功耗、高效化等优越特性，能够助力电动汽车系统效率更高、重量更轻、结构更加紧凑，促进电池成本的下降和续航里程的提升，降低了单车成本，无疑是新能源汽车现阶段的最优选择。碳化硅外延晶片是碳化硅产业链的核心环节。
天域半导体是国内碳化硅芯片/器件厂商的主要供应商，产品已大规模成熟应用于制造MOSFET及车规级功率器件，尤其是在中高压后外延产品技术方面全球领先，产业链地位突出、具备全球竞争力；同时与国内外优质碳化硅衬底厂商签署常年供应协议，锁定了上游稀缺产能；公司拥有国内最多的外延炉及国产替代最大产能，将成为中国碳化硅外延片领域的领军企业。”
原文始发于微信公众号（乾创资本）：乾创Family|天域半导体完成Pre-IPO轮融资
