今天主要以安靠技术（Amkor Technology）于2021年发表的一篇关于高密度超薄interposer Package on Package的研究论文《Chip-Last HDFO (High-Density Fan-Out) Interposer-PoP》为基础，聊聊中介层Package on Package技术发展趋势。备注：安靠是全球前三的封测代工企业。
看看名字“Chip-Last HDFO (High-Density Fan-Out) Interposer-PoP” 分为几个关键词：Chip-Last, HDFO(High-Density Fan-Out), Interposer, POP。接下来我们一一对其进行简述。
Chip-Last: 很简单有chip-last 就应该有chip-first。如图1所示，chip first 是指先制备好芯粒将其放于不同形式的Carrier 上，然后制备RDL层最后贴焊锡球。而Chip last 是先将RDL制备好，然后贴装芯粒，塑封最后再贴焊锡球。
HDFO(High-Density Fan-Out)高密度扇出，这个概念对应的就有Fan-In。两者最大的差异为RDL布线，在扇入型封装中，RDL向内布线，而在扇出型封装中，RDL既可向内又可向外布线，所以扇出型封装可以实现更多的I/O。
Interposer在我们艾邦半导体公众号里已经有多篇介绍。中介层利用硅通孔技术TSV，最终起到链接芯粒与Substrate的作用。
POP (Package on Package)是指叠层封装技术，通常应用在手机及笔记本电脑等领域，通过将逻辑芯片及存储芯片等不同芯片叠层封装从而实现超薄、低功耗、低信号损失的目的。在POP工艺中核心难点在于控制产品室温到260°的翘曲变形。
如图5所示，POP要不断的变薄还分两条技术路线：层压基板POP和RDL（重布线）POP。层压基板由于本身工艺很难再继续减薄，而RDL有着巨大的空间。
从图6和图7可以直接对比出RDL Layer于普通层压基板的厚度差异。上下都采用RDL层的产品厚度仅为400微米，而采用层压基板的同类产品厚度为450微米。通过使用RDL层可以减少近50微米。
图6 (a) interposer-PoP 上下层都为RDL
(b) interposer-PoP 下层为RDL上层为层压式substrate
图7 (a) interposer-PoP 下层为RDL上层为层压式substrate ；(b) interposer-PoP 上下层都为RDL
接着再对比一下两种产品动态翘曲的差异，两者翘曲差异不大，上下两层皆为RDL的翘起要略高于RLD+层压基板。当然还可以通过后续的RDL层设计优化进一步减少翘曲。
图8 左图为上下两层RDL的POP产品动态翘曲曲线
右图为RDL+层压基板POP产品动态翘曲曲线
最后，由于RDL具备超薄，良好的电性能，制备精度高等优点，随着业界对RDL层研发设备及工艺的不断投入，RDL技术在未来将会逐步进入越来越多的应用领域。当然还有一个更利于我国的优势，RDL的制程当前国内设备基本可以满足，没有卡脖子问题。相信我国RDL相关领域将会突飞猛进。
Chip-Last HDFO (High-Density Fan-Out) Interposer-PoP，Amkor Technology
原文始发于微信公众号（艾邦半导体网）：先进封装之高密度超薄叠层封装（POP）介绍
