3月22日，丰田通商与关西学院成立了SiC（碳化硅）功率半导体晶圆相关的研发公司QureDA Research株式会社，注册资金4.5亿日元，各自持股50%。
QureDA Research创造了关西学院大学和丰田通商共同开发的表面纳米控制工艺技术Dynamic AGE-ing®，可以去除功率半导体材料SiC晶圆中的缺陷，着眼于将晶圆加工过程中发生的晶面畸变可视化的测量技术的"可视化"，以提高SiC晶圆的质量、提高生产率、大口径（8英寸）为目的进行研究开发。
关西学院大学（工学部金子忠昭教授）发明的技术。 一种新的晶圆制造方法，它结合了非接触式处理技术，通过高温加热重新排列晶圆表面的原子排列。我们将提高晶圆质量并降低成本。
与广泛使用的功率半导体材料Si（硅）相比，SiC可以显着降低功率损耗，从而可以更有效地使用功率并缩小冷却设备的尺寸。 电动汽车（EV、HV、FCV）的需求特别高，预计国内外汽车行业的需求将迅速增加。然而，SiC 晶圆比 Si 晶圆更硬、更脆，目前的生产技术在制造过程中造成大量损耗。
关西学院大学和丰田通商将利用关西学院大学过去 25 年培育的 SiC 相关技术和丰田通商的企业网络，构建一个开发平台，让广泛的用户公司和制造商参与技术开发。借助这一开发平台，两家公司决定成立QureDA Research，旨在将Dynamic AGE-ing®技术商业化，加速SiC功率半导体的产业化进程。
QureDA Research旨在与国内外公司共同期待即将到来的大直径（8英寸）晶圆，在2025年扩大两家公司构建的开发平台并实现功率半导体SiC晶圆新制造方法的商业化。将为提高SiC晶圆的质量和产能等各种市场问题提供最优解决方案和知识产权授权。关西学院大学将与 QureDA Research 合作进行基于科学的研发，丰田通商将与 QureDA Research 合作创建新的价值链，为实现高能效和碳中和做出贡献。