发货量超75,000,000颗！纳微半导体创氮化镓功率器件出货“芯”高峰

美国加利福尼亚州托伦斯，2023年3月20日讯 —— 唯一全面专注的下一代功率半导体公司及氮化镓和碳化硅功率芯片行业领导者 — 纳微半导体（纳斯达克股票代码：NVTS）宣布已出货超7500万颗高压氮化镓功率器件。

氮化镓是是较高压传统硅功率半导体有着重大升级的下一代半导体技术，它减少了提供高压性能所需的能量和物理空间。氮化镓的运行速度相较传统硅提高了 20 倍，还可以在尺寸和重量减半的情况下，实现高达3倍的功率提升或快3倍的充电速度。

纳微半导体成立于 2014 年，从 2018 年量产GaNFast™氮化镓功率芯片开始，引领电力电子领域的革命。GaNFast IC单片集成了功率芯片和驱动功能，以及控制和保护。搭载了下一代GaNSense™技术的氮化镓功率芯片还集成了自动感知和快速控制的功能，具有单桥和半桥产品组合。如今，新的 GaNSense Control合封氮化镓功率芯片将高压氮化镓功率芯片与高频、低压的硅系统控制器相结合，以实现更高的集成度、更好的易用性和更优的系统表现。

作为氮化镓的市场领导者，纳微半导体正消化每年 20 亿个的移动快充和超快充市场机会，目前有超过 240款终端客户的充电器已投入量产。全球排名前十的移动 OEM 厂商都在生产采用了纳微芯片或与纳微共同研发的电源产品，包括戴尔、三星、联想、LG、小米、华硕、 OPPO和vivo，以及面向零售的品牌，如安克、绿联、Belkin、倍思等。随着智能手机屏幕更大，电池容量更大，以及快速的5G功能，智能手机对大功率的需求日益增加，与此同时，用户还需要更快的充电速度和更好的便携性。如今，Realme真我的GT Neo 5（国际版为GT3）等智能手机使用了GaNFast  240W充电器，可闪电般地在9分30秒内实现0-100%的充电，功率密度达到了世界一流水平——超过 2.4W/cc。

在超过数百万颗氮化镓功率芯片出货时，凭借卓越的品质性能，纳微半导体推出了全球首个也是唯一的20年有限保修，预示着氮化镓将进入更高功率、更高要求的应用领域，例如家电、数据中心、太阳能、能源存储和电动汽车。

纳微半导体的数据中心专研设计中心为AC-DC电源创建了一系列完整的多千瓦级的平台设计，超过了欧盟严苛的钛金Plus级的高效标准，电源尺寸只有传统硅电源的一半，成本同时也更低。这一性能已得到Compuware等市场领先客户的验证。

在家电和工业市场的真空吸尘器、冰箱压缩机、洗衣机和烘干机等应用中，氮化镓的应用可以使电机驱动器效率更高、尺寸更小、重量更轻。如搭载3个GaNSense半桥氮化镓功率芯片的400W驱动器，功率损耗减少70%以上。

对于住宅用的太阳能逆变器，由于拥有高频运行和高集成度的特性，与传统硅相比，采用氮化镓可以节省大约25%的系统成本。与此同时，纳微半导体与来自德国的KATEK等客户合作，旗下的GeneSiC™碳化硅 MOSFETs现已用于更高功率的商用组串式逆变器并实现了量产。

纳微半导体的碳化硅器件现也正在进军电动汽车市场，同时纳微的氮化镓器件正在开发并用于千瓦级的车载充电器 (OBC) 和DC-DC转换器。车联万物(V2x) 在行业内意为电动汽车能为其他负载提供电力，无论是家庭、诊所还是其他电动汽车。对于 V2x，纳微半导体的电动汽车专研设计中心设计了包括 6.6 kW“三合一”设计，具有整合的双向OBC和DC-DC功能，与竞争对手的解决方案相比，可实现高达17%的节能并增加1.6 倍的功率密度。