功率器件IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor的缩写。功率器件IGBT工艺流程：
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1.基板 |
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2.B+注入 使用离子注入设备 |
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3.绝缘膜形成 通过CVD形成掩膜 |
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4.掩膜用绝缘膜加工 通过刻蚀和去胶处理绝缘膜 |
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5.P+注入 使用离子注入设备 |
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6.形成沟槽 通过刻蚀形成沟槽 |
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7.形成绝缘膜 通过CVD形成绝缘膜 |
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8.绝缘膜加工 通过刻蚀和去胶处理绝缘膜
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9.形成Emitter电极 通过溅射或蒸镀形成电极
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10.形成P+FS层 通过离子注入设备形成P+FS层 |
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11.形成B+（Collector） 通过离子注入设备形成B+（Collector） |
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12.形成Collector 通过溅射或蒸镀形成Collector |
来源：ULVAC
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