ROHM开始大规模生产650V GaN HEMT

2023年5月8日，ROHM宣布已开始大规模生产650V GaN（氮化镓）HEMT GNP1070TC-Z和GNP1150TCA-Z，这些HEMT针对广泛的电源系统应用进行了优化。这些新产品是与开发GaN器件的Delta Electronics，Inc.的子公司Ancora Semiconductors，Inc.联合开发的。

提高占世界电力消耗大部分的电源和电机的效率，已成为实现脱碳社会的一个重大障碍。GaN和SiC等新材料的采用是提高电源效率的关键。在2022年开始大规模生产150V GaN HEMT（栅极击穿电压为8V）后，ROHM于2023年3月建立了控制IC技术，以最大限度地提高GaN性能。这一次，ROHM开发了650V GaN HEMT，其具有市场领先的性能，有助于在更广泛的电源系统中实现更高的效率和更小的尺寸。

GNP1070TC-Z和GNP1150TCA-Z在RDS（ON）×Ciss/RDS（ON）x Coss方面提供了业界领先的性能，这是GaN HEMT的一个优点，转化为电源系统的更高效率。同时，内置ESD保护元件可将静电击穿电阻提高到3.5kV，从而提高应用可靠性。GaN HEMT的高速开关特性也有助于外围组件的进一步小型化。

ROHM通过其EcoGaN继续提高器件性能™ GaN器件的阵容，有助于更大的能源应用节约和小型化。在开发ROHM产品的同时，ROHM还将通过战略合作伙伴关系促进联合开发，通过提高应用程序的效率和紧凑性，为解决社会问题做出贡献。