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芯能新一代1200V IGBT芯片研发成功
XINER MPT产品封装品
XINER MPT产品静态参数@40A
|
型号 |
VTH(V) |
VCESAT(V) |
VF(V) |
CIES(nF) |
COES(pF) |
CRES(pF) |
|
K40T***** |
5.65 |
1.87 |
1.68 |
2.3 |
216 |
127 |
|
XNS40N120T |
5.81 |
1.39 |
2.06 |
5.49 |
177 |
44.6 |
动态波形
短路波形
XINER MPT产品动态参数
|
测试条件：Vcc=600V，Ic=40A，Rg=20ohm，Cge=0 |
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型号 |
Esw (mJ) |
Eon (mJ) |
dv/dt-on (v/ns) |
di/dt-on (A/us) |
Eoff (mJ) |
dv/dt-off (v/ns) |
di/dt-off (A/us) |
|
XNS40N120T |
8.6 |
5.2 |
1.6 |
362 |
3.4 |
4.77 |
250 |
|
K40T***** |
10.4 |
5.6 |
1.26 |
387 |
4.8 |
3.63 |
151 |
变频器测试
变频器温度数据
|
380VAC/7.5KW变频器/17ARMS负载/fsw=5Khz |
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探头 |
XNS40N120T |
K40T***** |
|
UH(℃) |
58.2 |
68.6 |
|
UL(℃) |
58 |
67 |
|
WH(℃) |
61 |
67 |
|
VL(℃) |
59 |
67.5 |
|
散热器(℃) |
55 |
63 |
|
环温(℃) |
28 |
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2.5倍过流负载测试
在7.5KW变频器上进行测试验证，各负载下波形良好，满载工况时产品表面温度可降低6-10℃，效果十分明显。损耗的降低，可有利客户减小散热器体积，提供系统功率密度；或可降低产品工作温度提高其可靠性和延长寿命，提高系统的环境的耐受能力。
随着新一代先进芯片研发成功，下一步XINER会抓紧时间为其批量化、系列化做足工作。早日为国产IGBT器件的技术更新贡献自己的一份力量。
原文始发于微信公众号（芯能半导体）：芯能新一代微沟槽技术1200V IGBT芯片研发成功
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