据日本媒体报道，关东电化工业株式会社将增加用于半导体制造的蚀刻气体的产量。除了到2023年底将六氟-1,3-丁二烯（C4F6）的产量提高1.5倍外，2024年3月前完成低全球变暖潜能值（GWP）的新型蚀刻气体，第一年每年供应150吨。该公司预计半导体需求将在 2024 年复苏并激增，未来两年将投资超过 400 亿日元，包括在韩国和中国的基地。
C4F6 是在硅片表面形成电路图案的蚀刻过程中使用的一种特殊气体。 之前在涩川工厂（群马县涩川市）生产，2022年4月产能从每年260吨提高到每年400吨。随着多层技术的进步，智能手机和其他设备对 3D-NAND 闪存的需求预计将进一步增长。 除涩川工厂外，水岛工厂（冈山县仓敷市）也将投产，到2023年底年产能将达到600吨。
另一方面，新蚀刻气体"KSG-14"是一种环保产品，其GWP值低于二氧化碳（CO2）的1。 与客户半导体制造商共同开发，据说具有出色的蚀刻性能。目前，水岛工厂已建成试验工厂，正在进行试制开发。
该公司正在制定一项为期三年的中期管理计划，目标是在截至 2025年 3 月的财政年度实现销售额 1000 亿日元和营业收入 150 亿日元。 "我们预计半导体需求将从调整阶段转向增长阶段，我们将能够实现我们的中期计划目标，"执行官増島亮司表示。
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